詳細情報 |
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電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): | 60V | 電流 - 調整された平均 (Io): | 1A |
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ストレージ - 前向き (Vf) (最大): | 720mV @ 1A | スピード: | 速復 = < 500ns, > 200mA (Io) |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 200 μA @ 60 V | パッケージ/ケース: | DO-214AC SMA |
ハイライト: | ダイオード電子部品,表面マウントの電子部品,SBRA8160T3G |
製品の説明
SBRA8160T3G ダイオード電子部品 60 V 1A 表面マウント SMA
仕様 SBRA8160T3G
タイプ | 記述 |
カテゴリー | 離散半導体製品 |
ダイオード | |
矯正器 | |
シングルダイオード | |
Mfr | 一半 |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&ロール (TR) |
切断テープ (CT) | |
テクノロジー | ショットキー |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大) | 60V |
電流 - 調整された平均 (Io) | 1A |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大) | 720mV @ 1A |
スピード | 速復 = < 500ns, > 200mA (Io) |
電流 - 逆流出 @ Vr | 200 μA @ 60 V |
容量 @ Vr, F | - |
マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | DO-214AC SMA |
供給者のデバイスパッケージ | SMA |
動作温度 - 交差点 | -55°C ~ 150°C |
基本製品番号 | SBRA81 |
仕様 SBRA8160T3G
• J−ベントリードを搭載した小型コンパクト・表面装着式パッケージ
• 自動処理のための長方形のパッケージ
• 高安定性 オキシド 消極化 結合
• 前電圧 の 低下 が 極めて 低い
● ストレス に 抵抗 する 防護 環
•SBRA8 プリフィックス オートモーティブおよびユニークなサイトおよび制御変更要件を必要とする他のアプリケーション; AEC−Q101 資格があり,PPAP 対応*
• これらのデバイスは,Pb−フリー,ハロゲンフリー/BFRフリーで,RoHS対応です.
仕様 SBRA8160T3G
これらの装置は,大きな領域の金属からシリコン電源二極管にシュトキーバリア原理を使用する.最先端の幾何学は,酸化被動化と金属覆い接触のエピタキシアル構造を特徴としています低電圧,高周波直線,またはコンパクトなサイズと重量がシステムに不可欠な表面マウントアプリケーションにおけるフリーホイリングおよび極性二極管として理想的です.
環境と輸出分類SBRA8160T3G
ATRIBUTE について | 記述 |
RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.10.0080 |
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