詳細情報 |
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流出させなさいに源の電圧(Vdss): | 50ボルト | 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: | 220mA (Ta) |
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): | 4.5V、10V | (最高) @ ID、VgsのRds: | 3Ohm @ 500mA、10V |
電力損失(最高): | 350mW (Ta) | 実用温度: | 150°C (TJ) |
ハイライト: | BSS138 トランジスタ IC チップ、50V 220mA トランジスタ IC チップ、350mW 表面実装 IC,50V 220mA Transistor IC Chip,350mW Surface Mount IC |
製品の説明
BSS138 トランジスタ IC チップ 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) 面実装 SOT-23
BSS138の特徴
先進のトレンチプロセス技術
超低オン抵抗を実現する高密度セル設計
製品の属性BSS138の
製品
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BSS138
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FETタイプ
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Nチャンネル
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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50V
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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220mA(Ta)
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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3オーム @ 500mA、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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1.6V @ 250μA
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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27 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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350mW(Ta)
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動作温度
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150℃(TJ)
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取付タイプ
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表面実装
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サプライヤーデバイスパッケージ
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SOT-23
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パッケージ・ケース
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TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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の適用BSS138
⚫ ポータブル機器用ロードスイッチ
⚫ DC/DCコンバータ
⚫ ダイレクトロジックレベルインターフェイス:TTL/CMOS
BSS138の環境および輸出分類
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
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