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詳細情報 |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 75ボルト | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 9A （Ta）、50A （Tc） |
|---|---|---|---|
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 6V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 16mOhm @ 50A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 4V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 47 NC @ 10ボルト |
| ハイライト: | FDD16AN08A0トランジスターIC破片,TO-252AA ADEの破片,トランジスターADE破片 |
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製品の説明
FDD16AN08A0トランジスターIC破片75V 9A 50A 135Wの表面の台紙TO-252AA
FDD16AN08A0の特徴
RDSの（） = 13 mΩ （タイプ。） @ VGS = 10ボルト、ID = 50 A
QG （幼児） = 31 NC （タイプ。） @ VGS = 10ボルト
ミラー低い充満
低いQrrボディ ダイオード
UISの機能（単一の脈拍および反復的な脈拍）
FDD16AN08A0の製品特質
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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75ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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9A （Ta）、50A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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16mOhm @ 50A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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47 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1874 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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135W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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TO-252AA
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パッケージ/場合
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TO-252-3、DPak （2つの鉛+タブ）、SC-63
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基礎プロダクト数
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FDD16AN08
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FDD16AN08A0の適用
•電池の保護回路
•モーター ドライブおよび無停電電源装置
•同期改正
FDD16AN08A0の環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
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| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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