• BSS138-7-F トランジスタ集積回路 50V 200mA N チャネル Mosfet IC SOT-23-3
BSS138-7-F トランジスタ集積回路 50V 200mA N チャネル Mosfet IC SOT-23-3

BSS138-7-F トランジスタ集積回路 50V 200mA N チャネル Mosfet IC SOT-23-3

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モデル番号: BSS138-7-F

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詳細情報

流出させなさいに源の電圧(Vdss): 50ボルト 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 220mA (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 10V (最高) @ ID、VgsのRds: 3.5Ohm @ 220mA、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID: 1.5V @ 250µA 実用温度: -55°C | 150°C (TJ)
ハイライト:

BSS138-7-F N チャンネル Mosfet IC、50V 200mA BSS138-7-F、SOT-23-3 トランジスタ集積回路

,

50V 200mA BSS138-7-F

,

SOT-23-3 Transistor Integrated Circuit

製品の説明

BSS138-7-F トランジスタ IC チップ Nチャンネル 50V 200mA 300mW 面実装 SOT-23-3

 

BSS138-7-Fの特長

 

 低いオン抵抗
 低いゲートしきい値電圧
 低い入力容量
 高速スイッチング速度
 低入力/出力リーク
 完全鉛フリーおよび完全 RoHS 準拠 (注 1 および 2)
 ハロゲンおよびアンチモンフリー。「緑色」のデバイス (注 3)
 特定の変更が必要な自動車用途向け

 

製品の属性BSS138-7-F

 

製品
BSS138-7-F
FETタイプ
Nチャンネル
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
50V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200mA(Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.5オーム @ 220mA、10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250μA
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
50 pF @ 10 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
300mW(Ta)
動作温度
-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ
表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ・ケース
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本製品番号
BSS138

 

BSS138-7-Fの機械的データ


 ケース: SOT23
 ケース素材: 成形プラスチック。UL 可燃性分類
定格94V-0
 耐湿性: J-STD-020 に基づくレベル 1
 端子: アロイ 42 リードフレーム上でアニールされたマット錫仕上げ
(鉛フリーメッキ)。MIL-STD-202、メソッド 208 に従ってはんだ付け可能
 端子接続: 図を参照
重量: 0.008 グラム (概算)

 

BSS138-7-F の環境および輸出分類

BSS138-7-F トランジスタ集積回路 50V 200mA N チャネル Mosfet IC SOT-23-3 0

 

部品番号 場合 包装
BSS138-7-F SOT23(標準) 3000/テープ&リール
BSS138-13-F SOT23(標準) 10000/テープ&リール

 

BSS138-7-F トランジスタ集積回路 50V 200mA N チャネル Mosfet IC SOT-23-3 1

 

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