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詳細情報 |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 40ボルト | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 25A （Ta）、49A （Tc） |
|---|---|---|---|
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 2.2mOhm @ 25A、10V |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 110 NC @ 10ボルト | Vgs （最高）: | ±20V |
| ハイライト: | 8-PQFN FDMS8460,FDMS8460トランジスターIC破片,ICの破片Nチャネル40V 25A |
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製品の説明
FDMS8460トランジスターIC破片のN-Channel 40 V 25A 49A 2.5W 104W 8-PQFN （5x6）
FDMS8460の特徴
•最高rDS （） = 2.2 mのVGS = 10ボルト、ID = 25 A
•最高rDS （） = 3.0 mのVGS = 4.5ボルト、ID = 21.7 A
•低いrDSのための高度のパッケージおよびケイ素の組合せ（）
•MSL1強いパッケージ・デザイン
•100% UILはテストした
•迎合的なRoHS
FDMS8460の製品特質
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プロダクト
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FDMS8460
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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40ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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25A （Ta）、49A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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2.2mOhm @ 25A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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110 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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7205 pF @ 20ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.5W （Ta）、104W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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8-PQFN （5x6）
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パッケージ/場合
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8-PowerTDFN
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基礎プロダクト数
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FDMS84
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FDMS8460の適用
DC−DCの転換
FDMS8460の環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
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| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
FDMS8460のの概説
N−ChannelこのMOSFETはオン・セミコンダクターのon−stateの抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度POWERTRENCH®プロセスを使用して。
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