• SN65MLVD200DRの集積回路の破片1/1のトランシーバー半分LVDS 8-SOIC
SN65MLVD200DRの集積回路の破片1/1のトランシーバー半分LVDS 8-SOIC

SN65MLVD200DRの集積回路の破片1/1のトランシーバー半分LVDS 8-SOIC

商品の詳細:

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ブランド名: Original
証明: Original
モデル番号: SN65MLVD200ADRG4

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詳細情報

部品番号: SN65MLVD200ADRG4 運転者/受信機の数: 1/1
二重: 半分 受信機ヒステリシス: 25 mV
データ転送速度: 100Mbps 議定書: 分岐LVDS

製品の説明

SN65MLVD200DRの集積回路の破片1/1のトランシーバー半分LVDS 8-SOIC

 

1/1のトランシーバー半分LVDS、分岐8-SOIC

 

 

この一連のSN65MLVD20x装置は低電圧の差動提案された分岐低電圧の差動シグナリング(M-LVDS)標準(TIA/EIA-899)に従うライン・ドライバおよび受信機である。これらの回路は追加された機能が付いているTIA/EIA-644規格準拠LVDSの同等に類似している、分岐適用に演説するために。運転者の出力電流は支えるために二重終えられて、50-Ω負荷分岐塗布高められた。運転者の出力スルー・レートは率100までMbpsに信号を送るために最大限に活用される。
 

SN65MLVD200ADRG4の特徴

 

低電圧の差動30-Ωライン・ドライバ
そして率の†に信号を送るまでための受信機
100 Mbps
か。100時Mbpsの電力損失
–運転者:典型的な50 MW
–受信機:典型的な30 MW
か。現在の修正にの会うか、または超過する
M-LVDS標準的なTIA/EIA-899のための
分岐データ交換
か。管理された運転者の出力電圧転移
改善された信号品質のための時
か。– 3.4-V共通モード電圧範囲への1-V
2ボルトまでのデータ転送をの許可する
暗騒音
か。タイプ1の受信機は25 mVをの組み込む
ヒステリシス
タイプ2の受信機はオフセットを提供する
(100 mV) Open-Circuit検出する境界
そして遊んでいバス状態
か。単一3.3-V供給から作動する
か。伝搬遅延は普通2.3 nsを時間を計る
受信機のための運転者および5 nsのため
か。Glitch-Free運転者の下のパワーアップ/
か。運転者はaに操作を扱う
損傷のない連続的な短絡
か。バスは不具にされたとき高いインピーダンスをピンで止める
またはVCC ≤ 1.5 V
か。利用できる200-Mbps装置
(SN65MLVD201、203、206、および207)

 

SN65MLVD200ADRG4指定

 

Mfr
テキサス・インスツルメント
シリーズ
-
プロダクト
SN65MLVD200ADRG4
タイプ
トランシーバー
議定書
分岐LVDS
運転者/受信機の数
1/1
二重
半分
受信機ヒステリシス
25 mV
データ転送速度
100Mbps
電圧-供給
3V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
製造者装置パッケージ
8-SOIC
基礎プロダクト数
65MLVD200

 

範囲(−10 ̊

環境及び輸出分類


whのavck-

属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 1 (無制限)
範囲の状態 変化しないに達しなさい
ECCN 5A991B1
HTSUS 8542.39.0001

 

SN65MLVD200ADRG4の適用

 

·、ローパワー、短い範囲Altemative TIA/EIA-485に高速

·バックプレーンかケーブルで通信された分岐データおよび時計

 

SN65MLVD200DRの集積回路の破片1/1のトランシーバー半分LVDS 8-SOIC 0

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