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詳細情報 |
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| 部品番号: | SUM110P04-05-E3 | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 40ボルト |
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| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 110A （Tc） | （最高） @ ID、VgsのRds: | 5mOhm @ 20A、10V |
| Vgs （最高）: | ±20V | 電力損失（最高）: | 15W （Ta）、375W （Tc） |
| 実用温度: | -55°C | 175°C （TJ） | FETのタイプ: | P-Channel |
製品の説明
SUM110P04-05-E3一般目的のリレーP-Channel 40 V 110A 15W 375W
P-Channel 40 V 110A （Tc） 15W （Ta）、375W （Tc）表面の台紙TO-263 （Dの²朴）
SUM110P04-05-E3の特徴
•TrenchFET®力MOSFET
SUM110P04-05-E3の指定
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プロダクト
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SUM110P04-05-E3
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FETのタイプ
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P-Channel
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| パッケージ | テープ及び巻き枠 |
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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40ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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110A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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5mOhm @ 20A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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280 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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11300 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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電力損失（最高）
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15W （Ta）、375W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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TO-263 （Dの²朴）
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パッケージ/場合
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TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB
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基礎プロダクト数
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SUM110
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SUM110P04-05-E3の適用
転換モード電源
環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
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| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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