• 1P1G125QDCKRG4Q1 1 エレメント エレメントあたり 1 ビット トライステート出力 SC-70-5
1P1G125QDCKRG4Q1 1 エレメント エレメントあたり 1 ビット トライステート出力 SC-70-5

1P1G125QDCKRG4Q1 1 エレメント エレメントあたり 1 ビット トライステート出力 SC-70-5

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モデル番号: 1P1G125QDCKRG4Q1

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詳細情報

部品番号: 1P1G125QDCKRG4Q1 出力タイプ: 3 ステート
現在-高い出力低い: 24mA、24mA 電圧-供給: 1.65V~5.5V
実用温度: -40°C | 125°C (TA) 要素の数: 1

製品の説明

 1P1G125QDCKRG4Q1 1 エレメント エレメントあたり 1 ビット トライステート出力 SC-70-5

 

バッファ、非反転 1 エレメント エレメントあたり 1 ビット 3 ステート出力 SC-70-5

 

の特徴1P1G125QDCKRG4Q1

 

• AEC-Q100 は次の結果で認定されました。
– デバイス温度グレード 1: –40°C ~ +125°C
使用周囲温度範囲
– デバイス人体モデル (HBM) ESD
分類レベル2
– デバイスの帯電デバイス モデル (CDM) ESD
分類レベル C5
• 小型の 1.45 mm2 も入手可能
パッケージ(DRY) 0.5mmピッチ
• 5V VCC動作をサポート
• 過電圧耐性入力受け入れ
5.5Vまでの電圧
• VCC への下位変換を提供します。
• 3.3 V での最大 tpd 3.7 ns
• 低消費電力、最大 10μA ICC
• 3.3 V で ±24 mA 出力ドライブ
• Ioff はライブ挿入、部分的なパワーダウンをサポートします。
モード、およびバックドライブ保護
• 100mAを超えるラッチアップ性能
JESD 78、クラス II に準拠

 

仕様1P1G125QDCKRG4Q1

 

製品
1P1G125QDCKRG4Q1
ロジックタイプ
バッファ、非反転
要素の数
1
要素あたりのビット数
1
入力方式
-
出力タイプ
トライステート
電流 - 出力ハイ、ロー
24mA、24mA
電圧 - 電源
1.65V~5.5V
動作温度
-40℃~125℃(TA)
取付タイプ
表面実装
パッケージ・ケース
5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70-5
基本製品番号
1P1G125

 

範囲 (−10 ̊)

環境および輸出の分類


なんてことだ -

属性 説明
RoHS ステータス ROHS3準拠
感湿性レベル (MSL) 1 (無制限)
リーチステータス REACHは影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

 

の応用1P1G125QDCKRG4Q1

 

• 自動車用途向けに認定済み
• デジタル信号の駆動強度を高める
• 最大 100 MHz の方形波信号をリドライブ
• ハイインピーダンスオフ状態でデジタル信号を有効または無効にします。

 

1P1G125QDCKRG4Q1 1 エレメント エレメントあたり 1 ビット トライステート出力 SC-70-5 0

 

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