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詳細情報 |
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| パッケージ: | 管 | プロダクト状態: | 時代遅れ |
|---|---|---|---|
| 記憶タイプ: | 不揮発性 | 記憶フォーマット: | 前方 |
| 技術: | FRAM （Ferroelectric RAM） | 記憶容量: | 2Mビット |
| 記憶構成: | 256K X 8 | 記憶インターフェイス: | SPI |
製品の説明
FM25H20-DG 温度センサーチップ Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (強誘電体RAM) メモリIC 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
仕様 FM25H20-DG
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| メモリー | |
| メモリー | |
| 製造元 | インフィニオン テクノロジーズ |
| シリーズ | F-RAM™ |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | 廃止 |
| メモリの種類 | 不揮発性 |
| メモリフォーマット | フラム |
| テクノロジー | FRAM (強誘電体RAM) |
| メモリー容量 | 2Mビット |
| 記憶の構成 | 256K×8 |
| メモリインターフェース | SPI |
| クロック周波数 | 40MHz |
| 書き込みサイクル タイム - ワード、ページ | - |
| 電圧 - 電源 | 2.7V～3.6V |
| 動作温度 | -40℃～85℃(TA) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| パッケージ・ケース | 8-WDFN 露出パッド |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) |
| 基本製品番号 | FM25H20 |
の特徴FM25H20-DG
■ 2Mビット強誘電体ランダムアクセスメモリ(F-RAM) 論理的に256K×8として編成
- 100 兆 (1014) 回の読み取り/書き込みの高耐久性
- 151 年間のデータ保持 (「データ保持」を参照)と耐久表)
- NoDelay™ 書き込み
- 高度な高信頼性強誘電体プロセス
■ 非常に高速なシリアル ペリフェラル インターフェイス (SPI)
- 最大 40 MHz の周波数
-シリアル フラッシュとハードウェアの直接交換EEPROM
-SPI モード 0 (0, 0) およびモード 3 (1, 1) をサポート
■ 高度な書き込み保護スキーム
-ライトプロテクト（WP）を使用したハードウェア保護ピン
-書き込み禁止を使用したソフトウェア保護命令
-1/4、1/2、またはアレイ全体
■ 低消費電力
-1MHzで1mAのアクティブ電流
-80NA(代表値) スタンバイ電流
-3NAスリープモード電流
■ 低電圧動作: VDD = 2.7 V ～ 3.6 V
■ 工業用温度 –40 °C ～ +85 °C
■パッケージ
-8ピン小型アウトライン集積回路(SOIC)パッケージ
-8ピン薄型デュアルフラットノーリード（TDFN）パッケージ
■有害物質の使用制限（RoHS）準拠した
の応用FM25H20-DG
FM25H20は、2Mビットの不揮発性メモリです。高度な強誘電体プロセス。強誘電体ランダムアクセスメモリまたは F-RAM は不揮発性であり、読み取りと書き込みを実行します。RAMと似ています。151 年間の信頼できるデータ保持を提供します複雑さ、オーバーヘッド、システムレベルを排除しながらシリアルフラッシュ、EEPROM、その他によって引き起こされる信頼性の問題不揮発性メモリ。
環境および輸出の分類FM25H20-DG
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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