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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM | 技術: | SRAM -非同期 |
| 記憶容量: | 8Mビット | 記憶構成: | 512K X 16 |
| 記憶インターフェイス: | 平行 | 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 45ns |
製品の説明
CY62157ELL-45ZSXIT 温度センサーチップ Ic Sram 8mbit パラレル 44tsop II
SRAM - 非同期メモリ IC 8Mbit パラレル 45 ns 44-TSOP II
仕様 CY62157ELL-45ZSXIT
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| メモリー | |
| メモリー | |
| 製造元 | インフィニオン テクノロジーズ |
| シリーズ | MoBL® |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | アクティブ |
| メモリの種類 | 揮発性 |
| メモリフォーマット | SRAM |
| テクノロジー | SRAM - 非同期 |
| メモリー容量 | 8Mビット |
| 記憶の構成 | 512K×16 |
| メモリインターフェース | 平行 |
| 書き込みサイクル タイム - ワード、ページ | 45ns |
| アクセス時間 | 45ns |
| 電圧 - 電源 | 4.5V～5.5V |
| 動作温度 | -40℃～85℃(TA) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| パッケージ・ケース | 44-TSOP (0.400インチ、10.16mm幅) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 44-TSOP II |
| 基本製品番号 | CY62157 |
の特徴CY62157ELL-45ZSXIT
■超高速：45ns
- 工業用: -40 °C ～ +85 °C
- オートモーティブ-E: -40 °C ～ +125 °C
■ 広い電圧範囲: 4.5 V ～ 5.5 V
■超低待機電力
- 標準スタンバイ電流: 2 A
- 最大スタンバイ電流: 8 A (産業用)
■ 超低有効電力
- 標準有効電流: f = 1 MHz で 1.8 mA
■超低待機電力
■ CE1、CE2、OE 機能による簡単なメモリ拡張
■ 選択解除時の自動パワーダウン
■ 最適なスピードとパワーを実現するCMOS
■ 鉛フリー 44 ピン TSOP II および 48 ボール VFBGA パッケージで入手可能
の応用CY62157ELL-45ZSXIT
CY62157E は、512K ワード x 16 ビットとして構成された高性能 CMOS スタティック RAM です。このデバイスは、超低アクティブ電流を提供する高度な回路設計を備えています。これは、ポータブル アプリケーションでバッテリ寿命の向上 (MoBL®) を実現するのに最適です。このデバイスには、アドレスが切り替わっていない場合の電力消費を大幅に削減する自動パワーダウン機能もあります。選択が解除されている場合 (CE1 HIGH または CE2 LOW、または BHE と BLE の両方が HIGH) にデバイスをスタンバイ モードにします。入力ピンまたは出力ピン (I/O0 ～ I/O15) は、次の場合にハイ インピーダンス状態になります。
■ 選択解除 (CE1HIGH または CE2 LOW)
■ 出力はディスエーブルされます (OE HIGH)。
■ Byte High Enable と Byte Low Enable の両方が無効になります (BHE、BLE HIGH)
■ 書き込み動作がアクティブです (CE1 LOW、CE2 HIGH、WE LOW)。
環境および輸出の分類CY62157ELL-45ZSXIT
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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