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詳細情報 |
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| 記憶タイプ: | 不揮発性 | 記憶フォーマット: | フラッシュ |
|---|---|---|---|
| 技術: | フラッシュ - NOR | 記憶容量: | 256Mビット |
| 記憶構成: | 16M x 16 | 記憶インターフェイス: | 平行 |
| クロック周波数: | 66のMHz | 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 60NS |
製品の説明
S29WS256P0PBFW000温度検出器の破片IC抜け目がない256mbit平行84fbga
フラッシュ-記憶IC 256Mbitは平行にする66のMHz 80 ns 84-FBGA （11.6x8）を
S29WS256P0PBFW000の指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 記憶 | |
| 記憶 | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | WS-P |
| パッケージ | 皿 |
| プロダクト状態 | Digiキーで中断される |
| 記憶タイプ | 不揮発性 |
| 記憶フォーマット | フラッシュ |
| 技術 | フラッシュ- |
| 記憶容量 | 256Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 16 |
| 記憶インターフェイス | 平行 |
| クロック周波数 | 66のMHz |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 60ns |
| アクセス時間 | 80 ns |
| 電圧-供給 | 1.7V | 1.95V |
| 実用温度 | -25°C | 85°C （TA） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 84-VFBGA |
| 製造者装置パッケージ | 84-FBGA （11.6x8） |
| 基礎プロダクト数 | S29WS256 |
S29WS256P0PBFW000の特徴
• （1.70-1.95のV）読まれる/プログラム/消去単一の1.8 V
•90 nm MirrorBit™の技術
•ゼロ潜伏の同時読み書き操作
•任意ページは20ns内部のページのアクセス時間の8ワードの読み取りアクセスモードを
•32ワード/64バイトは緩衝を書く
•512/256/128Pのための32/16/8 Mwordsから成っている16銀行建築それぞれ
•記憶配列の上そして底両方の4つの16のKwordのセクター
•510/254/126 64Kwordセクター（WS512/256/128P）
•覆いおよび連続的な破烈の有無にかかわらずプログラム可能な線形は（8/16/32）モードを読んだ
•工場のための128ワードそれぞれおよび顧客のための128ワードから成っている保証されたケイ素のセクターの地域
•20年データ保持（典型的な）
•循環の持久力:セクターごとの100,000の周期（典型的な）
•JEDEC （42.4）の標準と互換性がある命令セット
•上および下のセクターのハードウェア（WP#）保護
•マルチ ブートのセクター構成（上および下）
•RDYの監視による握手
•提供されたパッケージ
– WS512P/WS256P/WS128P:84ボールFBGA （11.6 mm X 8つのmm）
•低くVCCは禁じるために書く
•高度のセクターの保護の耐久性があるおよびパスワード方法
•操作の状態ビットを示し、プログラムを消す操作の完了を書きなさい
•プログラムおよび消去操作のための命令を中断し、再開しなさい
•時間をプログラムすることを減るバイパス プログラム命令の鍵を開けなさい
•同期か非同期プログラム操作、破烈させた制御レジスタの設定の独立者
•工場プログラミングの時間を減らすACCの入力ピン
•共通の抜け目がないインターフェイス（CFI）のためのサポート
S29WS256P0PBFW000の適用
•AMD装置の操作の状態ビットを使用して
•理解のバースト方式のフラッシュ・メモリ装置
•同時読み書きは対消去中断したり/概要
•MirrorBit®のフラッシュ・メモリはプログラムする緩衝および読まれるページ バッファを書く
•Cypressプロダクトが付いている拡張可能な無線解決設計
•共通の抜け目がないインターフェイス版1.4ベンダ別の延長
S29WS256P0PBFW000の環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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