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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | FETのタイプ: | N-Channel |
|---|---|---|---|
| 技術: | MOSFET （金属酸化物） | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 60ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 13.6A （Ta）、49A （Tc） | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 6.7mOhm @ 13.6A、10V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 3V @ 250µA |
| ハイライト: | FDMS5352 トランジスタ IC Mosfet、FDMS5352 トランジスタ IC、8PQFN FDMS5352,FDMS5352 Transister IC,8PQFN FDMS5352 |
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製品の説明
FDMS5352 トランジスタ集積回路 IC Mosfet N-Ch 60v 13.6a/49a 8pqfn
Nチャンネル 60 V 13.6A (Ta)、49A (Tc) 2.5W (Ta)、104W (Tc) 面実装 8-PQFN (5x6)
仕様 FDMS5352
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET、MOSFET | |
| シングルFET、MOSFET | |
| 製造元 | オンセミ |
| シリーズ | パワートレンチ® |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| カットテープ(CT) | |
| デジリール® | |
| 製品の状態 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 13.6A(Ta)、49A(Tc) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.7ミリオーム @ 13.6A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250μA |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 131nC@10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6940 pF @ 30 V |
| FETの特徴 | - |
| 消費電力(最大) | 2.5W(Ta)、104W(Tc) |
| 動作温度 | -55℃～150℃(TJ) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | FDMS53 |
の特徴FDMS5352
• 最大 rbs(on)=6.7mΩat Vcs=10V、lb=13.6A
• 最大 fbs(on)=8.2mΩat VGs=4.5V、lb=12.3A
• 高度なパッケージとシリコンの組み合わせにより低 ros(on) を実現
• MSL1 の堅牢なパッケージ設計
• 100% UIL テスト済み
• RoHS対応
アプリケーションのFDMS5352
• DC - DC 変換
環境および輸出の分類FDMS5352
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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