• FDWS86380-F085 Mosfet IC 回路チップ N-CH 80V 50A POWER56
FDWS86380-F085 Mosfet IC 回路チップ N-CH 80V 50A POWER56

FDWS86380-F085 Mosfet IC 回路チップ N-CH 80V 50A POWER56

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モデル番号: FDWS86380-F085

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詳細情報

プロダクト状態: 活動的 中心プロセッサ: N-Channel
技術: MOSFET (金属酸化物) 流出させなさいに源の電圧(Vdss): 80ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 50A (Tc) USART ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 10V
(最高) @ ID、VgsのRds: 13.4mOhm @ 50A、10V Vgs ((最高) Th) @ ID: 4V @ 250µA
ハイライト:

FDWS86380-F085、MOSFET IC 回路チップ、N-CH 80V 50A POWER56

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Mosfet IC Circuit Chip

,

N-CH 80V 50A POWER56

製品の説明

FDWS86380-F085 汎用リレー Mosfet N-Ch 80v 50a Power56
 

Nチャンネル 80 V 50A (Tc) 75W (Tj) 面実装 Power56

 

仕様FDWS86380-F085

 

タイプ 説明
カテゴリー ディスクリート半導体製品
トランジスタ
FET、MOSFET
シングルFET、MOSFET
製造元 オンセミ
シリーズ 自動車、AEC-Q101、PowerTrench®
パッケージ テープ&リール(TR)
カットテープ(CT)
製品の状態 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 50A(Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 13.4ミリオーム @ 50A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (最大) ±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1440 pF @ 40 V
FETの特徴 -
消費電力(最大) 75W(Tj)
動作温度 -55℃~175℃(TJ)
取付タイプ 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ パワー56
パッケージ・ケース 8-PowerTDFN
基本製品番号 FDWS86380

 

の特徴FDWS86380-F085

 
• VGS = 10 V で標準 RDS(on) = 11.3 m。ID=50A
• VGS = 10 V で標準 Qg(tot) = 20 nC。ID=50A
• UIS 機能
• 自動光学検査 (AOI) 用の湿潤性側面
• AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• このデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFR フリーで、RoHS に準拠しています。
 
の応用FDWS86380-F085
 
• 自動車エンジン制御
• パワートレイン管理
• ソレノイドおよびモータードライバー
• 電子ステアリング
• 一体型スターター/オルタネーター
• 分散型電源アーキテクチャと VRM
• 12 V システム用のプライマリ スイッチ
 

環境および輸出の分類FDWS86380-F085

 

属性 説明
RoHS ステータス ROHS3準拠
感湿性レベル (MSL) 1 (無制限)
リーチステータス REACHは影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 
FDWS86380-F085 Mosfet IC 回路チップ N-CH 80V 50A POWER56 0

 

 

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