詳細情報 |
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プロダクト状態: | 活動的 | 中心プロセッサ: | N-Channel |
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技術: | MOSFET (金属酸化物) | 流出させなさいに源の電圧(Vdss): | 80ボルト |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: | 50A (Tc) USART | ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds: | 13.4mOhm @ 50A、10V | Vgs ((最高) Th) @ ID: | 4V @ 250µA |
ハイライト: | FDWS86380-F085、MOSFET IC 回路チップ、N-CH 80V 50A POWER56,Mosfet IC Circuit Chip,N-CH 80V 50A POWER56 |
製品の説明
FDWS86380-F085 汎用リレー Mosfet N-Ch 80v 50a Power56
Nチャンネル 80 V 50A (Tc) 75W (Tj) 面実装 Power56
仕様FDWS86380-F085
タイプ | 説明 |
カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
トランジスタ | |
FET、MOSFET | |
シングルFET、MOSFET | |
製造元 | オンセミ |
シリーズ | 自動車、AEC-Q101、PowerTrench® |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
カットテープ(CT) | |
製品の状態 | アクティブ |
FETタイプ | Nチャンネル |
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80V |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A(Tc) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 13.4ミリオーム @ 50A、10V |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (最大) | ±20V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1440 pF @ 40 V |
FETの特徴 | - |
消費電力(最大) | 75W(Tj) |
動作温度 | -55℃~175℃(TJ) |
取付タイプ | 表面実装 |
サプライヤーデバイスパッケージ | パワー56 |
パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
基本製品番号 | FDWS86380 |
の特徴FDWS86380-F085
• VGS = 10 V で標準 RDS(on) = 11.3 m。ID=50A
• VGS = 10 V で標準 Qg(tot) = 20 nC。ID=50A
• UIS 機能
• 自動光学検査 (AOI) 用の湿潤性側面
• AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• このデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFR フリーで、RoHS に準拠しています。
の応用FDWS86380-F085
• 自動車エンジン制御
• パワートレイン管理
• ソレノイドおよびモータードライバー
• 電子ステアリング
• 一体型スターター/オルタネーター
• 分散型電源アーキテクチャと VRM
• 12 V システム用のプライマリ スイッチ
環境および輸出の分類FDWS86380-F085
属性 | 説明 |
RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
リーチステータス | REACHは影響を受けない |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |

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