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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | プログラム可能なDigiキー: | 確認される |
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| 記憶タイプ: | 不揮発性 | 記憶フォーマット: | EEPROM |
| 技術: | EEPROM | 記憶容量: | 1Kbit |
| 記憶構成: | 128×8 | 記憶インターフェイス: | SPI |
製品の説明
M95010-WMN6TP テレビ ダイオード Smd Ic Eeprom 1kbit Spi 20mhz 8soic 497-8672-1-Nd
EEPROM メモリ IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
仕様M95010-WMN6TP
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| メモリー | |
| メモリー | |
| 製造元 | STマイクロエレクトロニクス |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| カットテープ(CT) | |
| デジリール® | |
| 製品の状態 | アクティブ |
| Digi-Key でプログラム可能 | 確認済み |
| メモリの種類 | 不揮発性 |
| メモリフォーマット | EEPROM |
| テクノロジー | EEPROM |
| メモリー容量 | 1Kビット |
| 記憶の構成 | 128×8 |
| メモリインターフェース | SPI |
| クロック周波数 | 20MHz |
| 書き込みサイクル タイム - ワード、ページ | 5ミリ秒 |
| 電圧 - 電源 | 2.5V～5.5V |
| 動作温度 | -40℃～85℃(TA) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154インチ、3.90mm幅) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 基本製品番号 | M95010 |
の特徴M95010-WMN6TP
• シリアルペリフェラルインターフェイス (SPI) バスとの互換性
• メモリアレイ
– 1/2/4K ビット (128/256/512 バイト) の EEPROM
– ページサイズ: 16 バイト
– M95040-DF オーダーコード用の追加の書き込みロック可能ページ (識別ページ)
• 書く
– 5 ミリ秒以内のバイト書き込み
– 5 ミリ秒以内のページ書き込み
• ライトプロテクト
– 4分の1配列
– ハーフアレイ
– メモリアレイ全体
• 最大クロック周波数: 20 MHz
• 単一電源電圧:
– M950x0-W の場合は 2.5 V ～ 5.5 V
– M950x0-R の場合は 1.8 V ～ 5.5 V
– M95040-DF の場合は 1.7 V ～ 5.5 V
• 動作温度範囲: -40 °C ～ +85 °C
• 強化された ESD 保護
• 400万回以上の書き込みサイクル
• 200 年以上のデータ保持
• パッケージはRoHS準拠およびハロンゲンフリーです。
– SO8N (エコパック2)
– TSSOP8 (エコパック2)
– UFDFPN8 (ECOPACK2)
パワーダウン のM95010-WMN6TP
パワーダウン中 (VCC 供給電圧が継続的に低下し、表 8、表 9、および表 10 で定義されている最小 VCC 動作電圧を下回っているとき)、デバイスは次の条件を満たす必要があります。
• 選択解除 (チップセレクト S は VCC に印加される電圧に従うことができる必要があります)
• スタンバイ電力モード (進行中の内部書き込みサイクルがあってはなりません)
環境および輸出の分類M95010-WMN6TP
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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