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詳細情報 |
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| 電圧-供給（Vcc/Vdd）: | 1.71V | 3.6V | データ変換装置: | A/D 27x16b;D/A 1x12b |
|---|---|---|---|
| 発振器のタイプ: | 内部 | 実用温度: | -40°C | 105°C （TA） |
| タイプの取付け: | 表面の台紙 | パッケージ/場合: | 80-LQFP |
| 製造者装置パッケージ: | 80-FQFP （12x12） | 基礎プロダクト数: | MK20DN512 |
製品の説明
MK20DN512VLK10R TVのダイオードSmd IC Mcu 32bit 512kb抜け目がない80fqfp
ARM® Cortex®-M4 Kinetis K20のマイクロ制御回路IC 32ビット単心100MHz 512KB （512K X 8）抜け目がない80-FQFP （12x12）
MK20DN512VLK10Rの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 埋め込まれる | |
| マイクロ制御回路 | |
| Mfr | NXP USA Inc。 |
| シリーズ | Kinetis K20 |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| Digi-Reel® | |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| プログラム可能なDigiキー | 確認されない |
| 中心プロセッサ | ARM® Cortex®-M4 |
| コア サイズ | 32ビット単心 |
| 速度 | 100MHz |
| 結合性 | CANbus、EBI/EMIのIの² C、IrDA、SD、SPI、UART/USART、USB、USB OTG |
| ペリフェラル | DMAのIの² S、LVD、POR、PWM、WDT |
| 入力/出力の数 | 52 |
| プログラム記憶容量 | 512KB （512K X 8） |
| プログラム記憶タイプ | フラッシュ |
| EEPROMのサイズ | - |
| RAMのサイズ | 128K X 8 |
| 電圧-供給（Vcc/Vdd） | 1.71V | 3.6V |
| データ変換装置 | A/D 27x16b;D/A 1x12b |
| 発振器のタイプ | 内部 |
| 実用温度 | -40°C | 105°C （TA） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 80-LQFP |
| 製造者装置パッケージ | 80-FQFP （12x12） |
| 基礎プロダクト数 | MK20DN512 |
MK20DN512VLK10Rの特徴
•決して破片の評価のうちのどれも超過してはいけない
•正常運営の間に、破片の作動の条件のうちのどれも超過してはいけない
•作動の行動によって指定される価値の範囲内のうそ
•不具USBの調整装置
•GPIOsは留まらなかった
•隠し場所が付いているフラッシュからのコード実行は可能になった
•ALLOFFのカーブのために、すべての周辺時計はFTFLを除いて不具である
MK20DN512VLK10Rの適用
•CPUおよびシステム クロック= 100つのMHz
•バス時計= 50のMHz
•FlexBusの時計= 50のMHz
•抜け目がない時計= 25のMHz
•MCGモード:FEI
MK20DN512VLK10Rの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991A2 |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
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