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詳細情報 |
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| 中心プロセッサ: | STM8 | コア サイズ: | 8ビット |
|---|---|---|---|
| 速度: | 16MHz | 結合性: | Iの² C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART |
| ペリフェラル: | 節電は、POR、PWM、WDT検出したり/調整 | 入力/出力の数: | 16 |
| プログラム記憶容量: | 8KB（8K×8） | プログラム記憶タイプ: | フラッシュ |
製品の説明
STM8S003F3U6TR Emmc メモリ チップ Ic Mcu 8 ビット 8 kb フラッシュ 20ufqfpn
STM8 STM8S マイクロコントローラ IC 8 ビット 16MHz 8KB（8K x 8） フラッシュ 20-UFQFPN（3x3）
仕様STM8L151K4T6TR
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 埋め込み | |
| マイクロコントローラー | |
| 製造元 | STマイクロエレクトロニクス |
| シリーズ | STM8S |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| カットテープ(CT) | |
| デジリール® | |
| 製品の状態 | アクティブ |
| Digi-Key でプログラム可能 | 検証されていない |
| コアプロセッサ | STM8 |
| コアサイズ | 8ビット |
| スピード | 16MHz |
| 接続性 | I²C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART |
| 周辺機器 | ブラウンアウト検出/リセット、POR、PWM、WDT |
| I/O数 | 16 |
| プログラムメモリサイズ | 8KB（8K×8） |
| プログラムメモリの種類 | 閃光 |
| EEPROMのサイズ | 128×8 |
| RAM サイズ | 1K×8 |
| 電圧 - 電源 (Vcc/Vdd) | 2.95V～5.5V |
| データコンバータ | A/D 5x10b |
| 発振器の種類 | 内部 |
| 動作温度 | -40℃～85℃(TA) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| パッケージ・ケース | 20-UFQFN |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 20-UFQFPN (3x3) |
| 基本製品番号 | STM8 |
の特徴STM8L151K4T6TR
芯
• ハーバード アーキテクチャと 3 ステージ パイプラインを備えた 16 MHz の高度な STM8 コア
• 拡張命令セット
思い出
• プログラム メモリ: 8 K バイトのフラッシュ メモリ。100 サイクル後、55 °C で 20 年間のデータ保持
• RAM: 1Kバイト
• データメモリ: 128 バイトの真のデータ EEPROM。最大 100,000 の書き込み/消去サイクルの耐久性 クロック、リセット、電源管理
• 動作電圧 2.95 V ～ 5.5 V
• 柔軟なクロック制御、4 つのマスタークロックソース
– 低電力水晶共振子発振器
– 外部クロック入力
– 内部、ユーザー調整可能な 16 MHz RC
– 内部低電力 128 kHz RC
• クロックモニター付きクロックセキュリティシステム
• パワー管理
– 低電力モード (待機、アクティブ停止、停止)
– 周辺クロックを個別にオフにします
– 永続的にアクティブ、低消費電力のパワーオンおよびパワーダウン リセット
割り込み管理
• 32 個の割り込みを備えたネストされた割り込みコントローラー
• 6 つのベクトルで最大 27 個の外部割り込み
アプリケーション のSTM8L151K4T6TR
• 8Kバイトのフラッシュプログラム単一電圧フラッシュメモリ
• 128バイトの真のデータEEPROM
・ユーザーオプションバイト領域
環境および輸出の分類STM8L151K4T6TR
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
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