• TJA1042T/1J Emmcのメモリー チップICのトランシーバーの半分1/1 8so 568 11890 6 ND
TJA1042T/1J Emmcのメモリー チップICのトランシーバーの半分1/1 8so 568 11890 6 ND

TJA1042T/1J Emmcのメモリー チップICのトランシーバーの半分1/1 8so 568 11890 6 ND

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モデル番号: TJA1042T/1J

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詳細情報

プロダクト状態: 活動的 タイプ: トランシーバー
議定書: CANbus 運転者/受信機の数: 1/1
二重: 半分 受信機ヒステリシス: 120 mV
データ転送速度: 5Mbps 電圧-供給: 4.5V | 5.5V

製品の説明

TJA1042T/1J Emmcのメモリー チップICのトランシーバーの半分1/1 8so 568 11890 6 ND
 
1/1のトランシーバー半分のCANbus 8-SO

 

TJA1042T/1J指定

 

タイプ 記述
部門 集積回路(IC)
インターフェイス
運転者、受信機、トランシーバー
Mfr NXP USA Inc。
シリーズ 、AEC-Q100自動車
パッケージ テープ及び巻き枠(TR)
切りなさいテープ(CT)を
Digi-Reel®
プロダクト状態 活動的
タイプ トランシーバー
議定書 CANbus
運転者/受信機の数 1/1
二重 半分
受信機ヒステリシス 120 mV
データ転送速度 5Mbps
電圧-供給 4.5V | 5.5V
実用温度 -40°C | 150°C
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
製造者装置パッケージ 8-SO
基礎プロダクト数 TJA1042

 

TJA1042T/1J特徴


•迎合的な十分にISOの11898-2:2016、SAE J2284-1へのSAE J2284-5およびSAE J1939-14
•データ転送速度のために缶FD速い段階保証されるタイミング5つまでのMbit/s
•12ボルトおよび24のVシステムのために適した
•低い電磁石の放出(EME)および提案されたEMCの標準IEC 62228-3およびSAE J2962-2に従う高い電磁石の免除(EMI)、
•VIOピンとの変形3.3ボルトから5つのVのマイクロ制御回路によって直接インターフェイスを可能にするため
•TJA1042BおよびTJA1042Cの変形のより短い伝搬遅延は大規模なネットワークの地勢学を支える(表8)を見なさい
•劣性バス レベルを安定させるためのTJA1042TそしてTJA1042CTの割れた電圧出力
•VIOおよび非VIOは両方変形SO8および無鉛HVSON8 (× 3.0 mmの3.0 mm)パッケージで利用できる;改善された自動化された光学点検(AOI)機能のHVSON8
 

TJA1042T/1J適用


•バス ピン(±8 kV)の機能を扱う高いESD
•缶ピン(V) ±58の高圧強さ
•自動車環境のトランジェントから保護されるバス ピン
•熱的に保護される

 

TJA1042T/1Jの環境及び輸出分類

 

属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 1 (無制限)
範囲の状態 変化しないに達しなさい
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001
 

TJA1042T/1J Emmcのメモリー チップICのトランシーバーの半分1/1 8so 568 11890 6 ND 0

 

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