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詳細情報 |
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| テクノロジー: | SDRAM - DDR3L | メモリサイズ: | 8ギガビット |
|---|---|---|---|
| 記憶 の 組織: | 512M×16 | メモリインターフェース: | パラレル |
| 時計の周波数: | 800 MHz | アクセス時間: | 13.5ns |
| 電圧 - 供給: | 1.283V | 1.45V | 動作温度: | -40°C~95°C (TC) |
| ハイライト: | MT41K512M16HA-125ITの記憶IC,8Gbit並列メモリIC |
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製品の説明
MT41K512M16HA-125IT: 8Gbit パラレル 800 MHz 13.5 ns 96-FBGA のメモリーIC
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA について
仕様MT41K512M16HA-125 IT:A
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| Mfr | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| 製品の状況 | 時代遅れ |
| メモリタイプ | 揮発性 |
| メモリ形式 | DRAM |
| テクノロジー | SDRAM - DDR3L |
| メモリサイズ | 8Gbit |
| 記憶 の 組織 | 512M × 16 |
| メモリインターフェース | パラレル |
| 時計の周波数 | 800 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | - |
| アクセス時間 | 13.5 ns |
| 電圧 - 供給 | 1.283V ~ 1.45V |
| 動作温度 | -40°C~95°C (TC) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 96-TFBGA |
| 供給者のデバイスパッケージ | 96-FBGA (9x14) |
| 基本製品番号 | MT41K512M16 |
特徴についてMT41K512M16HA-125 IT:A
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 〜 1.45V)
VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V に対応する
1.5VアプリケーションでDDR3Lデバイスをバックコンパティブルにサポート
• 2方向データストロブ
• 8nビットプリフェッチアーキテクチャ
• 差点時計入力 (CK,CK#)
• 8つの内部銀行
• データ,ストロブ,マスク信号の名目および動的オンダイ終了 (ODT)
プログラム可能なCAS (READ) レイテンシー (CL)
• プログラム可能な CAS 添加物遅延 (AL)
プログラム可能なCAS (WRITE) レイテンシー (CWL)
固定バースト長さ (BL) 8 とバーストチョップ (BC) 4 (モードレジスタセット [MRS]経由)
選択可能なBC4またはBL8オン・ザ・フライ (OTF)
• 自動更新モード
• 95°CのTC
64ms 8192サイクル 85°Cまでリフレッシュ
32ms, 8192サイクル > 85°Cから95°Cのリフレッシュ
• 自動 更新 温度 (SRT)
• 自動 更新 (ASR)
• 書き直し
• 多目的登録
• 出力ドライバーの校正
MT41K512M16HA-125 IT:Aの説明
DDR3L (1.35V) SDRAMは,DDR3 (1.5V) SDRAMの低電圧バージョンである.1.5V互換モードで動作する場合は,DDR3 (1.5V) SDRAMデータシート仕様を参照してください.
環境と輸出分類MT41K512M16HA-125 IT:A
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
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