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詳細情報 |
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| 記憶タイプ: | 不揮発性 | 記憶フォーマット: | EEPROM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー: | EEPROM | 記憶容量: | 4Kbit |
| 記憶構成: | 512 × 8 256 × 16 | 記憶インターフェイス: | Microwire |
| クロック周波数: | 2つのMHZ | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい: | 5ms |
製品の説明
M93C66-WMN6TP EEPROMメモリIC 統合回路チップ 4Kbit マイクロワイヤ 2 MHz 8-SOIC
仕様M93C66-WMN6TP
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | STMマイクロ電子機器 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| メモリタイプ | 不揮発性 |
| メモリ形式 | EEPROM |
| テクノロジー | EEPROM |
| メモリサイズ | 4Kbit |
| 記憶 の 組織 | 512 × 8 256 × 16 |
| メモリインターフェース | マイクロワイヤ |
| 時計の周波数 | 2 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | 5ms |
| 電圧 - 供給 | 2.5V~5.5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 基本製品番号 | M93C66 |
特徴M93C66-WMN6TP
• 業界標準のMICROWIRETMバス
単一電源電圧:
M93Cx6-Wの2.5Vから5.5V
M93Cx6-R については1.8Vから5.5V
双重組織:単語 (x16) またはバイト (x8)
• バイト,ワード,または全メモリで動作するプログラミング指示
自動消去付きの自動タイムプログラムサイクル: 5 ms
• プログラム 中の READY/BUSY シグナル
• 2MHz のクロックレート
• 連続読み取り操作
• ESD/ラッチアップ 行動 の 強化
• 400万回以上 書き込み サイクル
• 200 年以上のデータ保存
適用するM93C66-WMN6TP
M93C46 (1Kbit),M93C56 (2Kbit),M93C66 (4Kbit),M93C76 (8Kbit) およびM93C86 (16Kbit) は,MICROWIRETMバスプロトコルを通じてアクセスできる電気的に消去可能なプログラム可能なメモリ (EEPROM) デバイスである..メモリ配列はバイト (x8b) または単語 (x16b) で構成することができます.
環境と輸出分類M93C66-WMN6TP
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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