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詳細情報 |
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| メモリサイズ: | 4.5Mbit | 記憶 の 組織: | 128K × 36 |
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| メモリインターフェース: | パラレル | 基本製品番号: | IS64LF12836 |
| 時計の周波数: | 117のMHz | アクセス時間: | 7.5 ns |
| 電圧 - 供給: | 3.135V~3.465V | 動作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
製品の説明
IS42S16320F-7TLI SRAM 同期SDRメモリIC 4.5Mbit パラレル117 MHSRAM
仕様 IS64LF12836EC-7.5B3LA3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | ISSI 統合シリコンソリューション株式会社 |
| パッケージ | トレー |
| メモリタイプ | 揮発性 |
| メモリ形式 | SRAM |
| テクノロジー | SRAM - シンクロン,SDR |
| メモリサイズ | 4.5Mbit |
| 記憶 の 組織 | 128K × 36 |
| メモリインターフェース | パラレル |
| 時計の周波数 | 117 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | - |
| アクセス時間 | 7.5 ns |
| 電圧 - 供給 | 3.135V~3.465V |
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 165-TBGA |
| 供給者のデバイスパッケージ | 165-TFBGA (13x15) |
| 基本製品番号 | IS64LF12836 |
仕様 IS64LF12836EC-7.5B3LA3
* 内部自動タイムリング書き込みサイクル
* 個別バイト書き込み制御とグローバル書き込み
* 時計制御,登録住所,データ,制御
* MODE 入力を使用してバーストシーケンス制御
* シンプルな深さ拡張とアドレスパイプラインングのための3チップ有効オプション
* 共通のデータ入力とデータ出力
* 選択停止中に自動オフ
* シングルサイクルの選択解除
* 低電源待機モードのスムーズモード
JEDEC 100ピンQFP,165ボールBGAと119ボールBGAパッケージ
* 電源:
* LF: VDD 3.3V (± 5%),VDDQ 3.3V/2.5V (± 5%)
* VF: VDD 2.5V (± 5%),VDDQ 2.5V (± 5%)
* JTAG BGA パッケージの境界スキャン
* 産業用・自動車用温度サポート
* 鉛のない製品
* エラー検出とエラー修正
適用する IS64LF12836EC-7.5B3LA3
4Mbの製品ファミリーは,通信およびネットワークアプリケーションのために爆発性のある高性能メモリを提供するように設計された高速で低消費量の同期静的RAMを備えています.
環境問題輸出分類 IS64LF12836EC-7.5B3LA3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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