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詳細情報 |
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| メモリタイプ: | 不揮発性 | メモリ形式: | フラッシュ |
|---|---|---|---|
| テクノロジー: | FLASH - NAND (SLC) | メモリサイズ: | 2Gbit |
| 記憶 の 組織: | 256M×8 | メモリインターフェース: | パラレル |
| サイクルの時間 - 単語,ページ: | 25ns | アクセス時間: | 25 ns |
| ハイライト: | TC58NVG1S3HTA00,48-TSOP メモリIC |
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製品の説明
TC58NVG1S3HTA00 FLASH - NAND (SLC) メモリIC 2Gbit パラレル 25 ns 48-TSOP
仕様TC58NVG1S3HTA00
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | キオキシア・アメリカ・インク |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| 製品の状況 | アクティブ |
| メモリタイプ | 不揮発性 |
| メモリ形式 | フラッシュ |
| テクノロジー | FLASH - NAND (SLC) |
| メモリサイズ | 2Gbit |
| 記憶 の 組織 | 256M × 8 |
| メモリインターフェース | パラレル |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | 25ns |
| アクセス時間 | 25 ns |
| 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 48-TSOP I |
| 基本製品番号 | TC58NVG1 |
特徴 TC58NVG1S3HTA00
* 組織
- メモリーセル配列 2176 128K 8
- レジ 2176 8
- ページサイズ 2176 バイト
- ブロックサイズ (128K 8K) バイト
* モード
- 読み,リセット,自動ページプログラム,自動ブロック消去,状態読み,ページコピー,
- マルチページプログラム,マルチブロック消去,マルチページコピー,マルチページ読み
* モード制御
- シリアル入力/出力
- コマンドコントロール
* 有効なブロック数
- ミニ2008ブロック
- 最大2048ブロック
* 電源
- VCC 〜 2.7V から 3.6V
* アクセス時間
- セル配列を25 秒最大で記録する
- 読み取れるサイクルの時間 25 ns min (CL=50pF)
* プログラム/削除時間
- 自動ページプログラム 300 ¢ /ページタイプ
- 自動ブロック消去 2.5 ms/ブロックタイプ
* 稼働電流
- 読み込み (25 ns サイクル) 30 mA 最大
- プログラム (平均) 最大30mA
- 消去 (平均) 最大30mA
- 待機 50 ‰A 最大
導入について TC58NVG1S3HTA00
TC58NVG1S3HTA00は単一の 3.3V 2Gbit (2,281,701NAND 電動消去可能・プログラム可能な読み込み専用メモリ (NAND E2PROM) (2048 + 128) バイトで編成 64ページ 2048ブロック
環境問題輸出分類 TC58NVG1S3HTA00
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | 3A991A2 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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