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詳細情報 |
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| メモリ形式: | フラッシュ | テクノロジー: | FLASH - NOR |
|---|---|---|---|
| メモリサイズ: | 16Mbit | 記憶 の 組織: | 2M x 8、1M x 16 |
| メモリインターフェース: | パラレル | サイクルの時間 - 単語,ページ: | 70ns |
| アクセス時間: | 70 ns | 電圧 - 供給: | 2.7V~3.6V |
製品の説明
M29W160EB70N3F FLASH - NOR メモリIC 16Mbit パラレル 70 ns 48-TSOP
仕様 M29W160EB70N3F
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| メモリタイプ | 不揮発性 |
| メモリ形式 | フラッシュ |
| テクノロジー | FLASH - NOR |
| メモリサイズ | 16Mbit |
| 記憶 の 組織 | 2M × 8 1M × 16 |
| メモリインターフェース | パラレル |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | 70n |
| アクセス時間 | 70 ns |
| 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 48-TSOP |
| 基本製品番号 | M29W160 |
適用するM29W160EB70N3F
M29W160ET/B (2Mb x8または1Mb x16) は,読み取り,消去,再プログラムできる非揮発性デバイスである.これらの操作は,単一の低電圧 (2.7 〜 3.6V) 供給を使用して実行することができる.パワーアップでは,メモリはROMやEPROMと同じ方法で読み取れる読み込みモードにデフォルトされます..
環境問題輸出分類 M29W160EB70N3F
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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