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詳細情報 |
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| 申請: | コンバーター、DDR | 電圧-入力: | 1V~6V |
|---|---|---|---|
| 出力数: | 1 | 電圧-出力: | 0.6V~2V |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C | マウントタイプ: | 表面マウント |
| ハイライト: | TPS53317RGBT,変換電圧調節器IC,DDR電圧調節器IC |
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製品の説明
TPS53317RGBT D-CAP+TM変換器 DDR電圧調節器 IC 1 出力 20-VQFN
仕様 TPS53317RGBT
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 電力管理 (PMIC) | |
| 特別目的の規制機関 | |
| Mfr | テキサス・インストラクション |
| シリーズ | D-CAP+TM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 申請 | 変換器,DRD |
| 電圧 - 入力 | 1V~6V |
| 出力数 | 1 |
| 電圧 - 出力 | 0.6V~2V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 20-VFQFN 露出パッド |
| 供給者のデバイスパッケージ | 20-VQFN (3.5x4) |
| 基本製品番号 | TPS53317 |
特徴 TPS53317RGBT
* 独自の統合MOSFETとパッケージング技術
* 6 AC 連続出力源またはシンク電流まで DDR メモリー終了をサポート
* 外部追跡
*最小外部の構成要素数
* 1Vから6Vの変換電圧
* D-CAP+TM モードアーキテクチャ
* すべてのMLCC出力コンデンサとSP/POSCAPをサポート
*選択可能なSKIPモードまたは強制的なCCM
* 軽量 重量 負荷 に 対し て 最適 化 さ れ た 効率
* 600kHzまたは1MHzの切り替え周波数を選択できます
* 選択可能な過電流制限 (OCL)
* 過電圧,過熱,ヒック
* 調節可能な出力電圧 0.6V から 2V
* 3.5mm x 4mm 20ピンVQFNパッケージ
適用する TPS53317RGBT
• DDR,DDR2,DDR3,DDR3L,DDR4用のメモリ終了調節器
• VTTの終了
• 1V から 6V の 入力レールの低電圧アプリケーション
環境と輸出分類TPS53317RGBT
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 2 (1年) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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