• AT28C256-15PU EEPROM メモリ IC 256Kbit パラレル 150 Ns 28-PDIP
AT28C256-15PU EEPROM メモリ IC 256Kbit パラレル 150 Ns 28-PDIP

AT28C256-15PU EEPROM メモリ IC 256Kbit パラレル 150 Ns 28-PDIP

商品の詳細:

起源の場所: 原作
ブランド名: original
証明: original
モデル番号: AT28C256-15PU

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詳細情報

メモリタイプ: 不揮発性 メモリ形式: EEPROM
メモリサイズ: 256Kbit 記憶 の 組織: 32K × 8
メモリインターフェース: パラレル サイクルの時間 - 単語,ページ: 10ms
アクセス時間: 150 ns 電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
ハイライト:

AT28C256-15PU

,

AT28C256-15PU EEPROMメモリIC

製品の説明

ACS758LCB-100U 電流センサー 100A 1チャネルホール効果 オープンループ 一方向5CB

 

仕様 AT28C256-15PU

 

タイプ 記述
カテゴリー 集積回路 (IC)
  記憶力
  記憶力
Mfr マイクロチップ技術
シリーズ -
パッケージ トューブ
メモリタイプ 不揮発性
メモリ形式 EEPROM
テクノロジー EEPROM
メモリサイズ 256Kbit
記憶 の 組織 32K × 8
メモリインターフェース パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ 10ms
アクセス時間 150 ns
電圧 - 供給 4.5V~5.5V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TC)
マウントタイプ 穴を抜ける
パッケージ/ケース 28DIP (0.600",15.24mm)
供給者のデバイスパッケージ 28PDIP
基本製品番号 AT28C256

 

仕様AT28C256-15PU


速読アクセス時間:150 ns
• 自動ページ書き込み操作:
内部で 32,768 x 8 (256K) と整理されています
内部アドレスと 64 バイトのデータロック
内部制御タイマー
• 速写 サイクル 時間:
ページ書き込みサイクル時間:最大3msまたは10ms
1 から 64 バイト の Page Write 操作
• 低エネルギー 消耗:
50 mA 活性電流
CMOS スタンバイ電流 200 μA
• ハードウェアとソフトウェアによるデータ保護
• 書き込み終了検出のためのデータアンケート
• 高信頼性 CMOS テクノロジー:
耐久性: 1万~10万 回
データの保存: 10年
● 5V ± 10% の単一電源
• CMOS と TTL に互換性のある入力と出力
• JEDEC®
承認されたバイト幅ピノウト
• 工業用温度帯

 

 

導入についてAT28C256-15PU


AT28C256は,高性能の電動消去可能およびプログラム可能な読み取りのみメモリ (EEPROM) である.その256Kbのメモリは,32,768文字×8ビットに組織されている.マイクロチップの先端非揮発性CMOS技術で製造,デバイスは,わずか440mWの電力消耗で150nsまでのアクセス時間を提供します.デバイスをアン選択すると,CMOS待機電流は200μA未満です.

 

 

 

環境と輸出分類AT28C256-15PU

 

ATRIBUTE について 記述
RoHS 状態 ROHS3 に準拠
湿度感度レベル (MSL) 1 (無制限)
REACH ステータス REACH 影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0051

 

AT28C256-15PU EEPROM メモリ IC 256Kbit パラレル 150 Ns 28-PDIP 0

 

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