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詳細情報 |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 200V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 15.2A （Tc） |
|---|---|---|---|
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 90mOhm @ 7.6A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 30µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 11.6 nC @ 10V |
| Vgs (最大): | ±20V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 920 pF @ 100 V |
| ハイライト: | BSC900N20NS3G,BSC900N20NS3G NチャネルMOSFETIC |
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製品の説明
BSC900N20NS3G Nチャンネル 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) 表面マウント PG-TDSON-8-5
仕様BSC900N20NS3G
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | オプティモスTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 200V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 15.2A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 30μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 11.6 nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 62.5W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | BSC900 |
特徴 BSC900N20NS3G
• DC-DC変換に最適化
• Nチャネル,正常レベル
• 優れたゲート料金 × R DS (オン) 製品 (FOM)
低電圧抵抗 R DS (電源)
● 150 °C の動作温度
• Pb のない鉛塗装; RoHS に準拠
■ JEDEC1) に基づいて対象アプリケーションに適格
• IEC61249-2-21 に基づくハロゲンフリー
環境と輸出分類BSC900N20NS3G
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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