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詳細情報 |
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| メモリ形式: | 前方 | テクノロジー: | FRAM （Ferroelectric RAM） |
|---|---|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit | 記憶 の 組織: | 512 × 8 |
| メモリインターフェース: | SPI | 時計の周波数: | 10 MHz |
| 電圧 - 供給: | 3V~3.6V | 動作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
製品の説明
FM25L04B-GATR FRAM (フェロ電磁 RAM) メモリIC 4Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
仕様 FM25L04B-GATR
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | 自動車,AEC-Q100,F-RAMTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| メモリタイプ | 不揮発性 |
| メモリ形式 | FRAM |
| テクノロジー | FRAM (フェロー電気RAM) |
| メモリサイズ | 4Kbit |
| 記憶 の 組織 | 512 × 8 |
| メモリインターフェース | SPI |
| 時計の周波数 | 10 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | - |
| 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 基本製品番号 | FM25L04 |
特徴 FM25L04B-GATR
■ 512 × 8 として論理的に組織された4Kbitのフェロー電気ランダムアクセスメモリ (F-RAM)
高耐久性10兆 (1013) の読み書き
データの保存期間は121年 (データ保存と耐久性表を参照)
投稿者: ノーデレイ
高度な信頼性の高いフェロー電気工法
■ 非常に高速なシリアル周辺インターフェース (SPI)
〜 10 MHz までの周波数
シリアルフラッシュとEEPROMの直接ハードウェア交換
SPIモード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) をサポートします.
■ 複雑な書き込み保護制度
書き込み保護 (WP) ピンを使用してハードウェア保護
書き込み無効化命令を使用してソフトウェア保護
1/4,1/2,またはすべての配列のためのソフトウェアブロック保護
■ 低電力消費
1MHzで 200Aのアクティブ電流
6A (典型的な) 待機電流 +85°C
■低電圧操作:VDD = 3.0Vから3.6V
■ 自動車用E温度: 40°C から +125°C
■ 8ピンの小型コンスート統合回路 (SOIC) パッケージ
■ AEC Q100 クラス1 に準拠する
■ 危険物質の制限 (RoHS) に準拠する
適用する FM25L04B-GATR
FM25L04Bは,先進的なフェロー電気プロセスを採用した4Kbitの非揮発性メモリである.フェロー電気ランダムアクセスメモリまたはF-RAMは,非揮発性であり,RAMに似た読み書きを行う.複雑さをなくして 121 年間信頼性の高いデータ保存を可能にしますシリアルフラッシュ,EEPROM,その他の非揮発性メモリによって引き起こされる,オーバーヘッド,およびシステムレベルの信頼性の問題.
環境と輸出分類FM25L04B-GATR
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
