|
詳細情報 |
|||
| メモリタイプ: | 揮発性 | メモリ形式: | DRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3L | メモリサイズ: | 2Gbit |
| 記憶 の 組織: | 128M x 16 | メモリインターフェース: | パラレル |
| 時計の周波数: | 800 MHz | アクセス時間: | 13.75 ns |
製品の説明
MT41K128M16JT-125 AAT:K SDRAM - DDR3LメモリIC 2Gbit パラレル800 MHz 13.75 ns
仕様 MT41K128M16JT-125 AAT:K
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| シリーズ | 自動車,AEC-Q100 |
| パッケージ | トレー |
| メモリタイプ | 揮発性 |
| メモリ形式 | DRAM |
| テクノロジー | SDRAM - DDR3L |
| メモリサイズ | 2Gbit |
| 記憶 の 組織 | 128M × 16 |
| メモリインターフェース | パラレル |
| 時計の周波数 | 800 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | - |
| アクセス時間 | 13.75 ns |
| 電圧 - 供給 | 1.283V ~ 1.45V |
| 動作温度 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 96-TFBGA |
| 供給者のデバイスパッケージ | 96-FBGA (8x14) |
| 基本製品番号 | MT41K128M16 |
特徴MT41K128M16JT-125 AAT:K
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 〜 1.45V)
• VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V に向かい合える
• 2方向データストロブ
• 8nビットプリフェッチアーキテクチャ
• 差点時計入力 (CK,CK#)
• 8つの内部銀行
• データ,ストロブ,マスク信号の名目および動的オンダイ終了 (ODT)
プログラム可能なCAS (READ) レイテンシー (CL)
• プログラム可能な CAS 添加物遅延 (AL)
プログラム可能なCAS (WRITE) レイテンシー (CWL)
固定バースト長さ (BL) 8 とバーストチョップ (BC) 4 (モードレジスタセット [MRS]経由)
選択可能なBC4またはBL8オン・ザ・フライ (OTF)
• 自動更新モード
• TC 温度範囲で最大間隔時間をリフレッシュする
40°Cから+85°Cで64ms
+85°Cから+105°Cで32ms
+105°Cから +115°Cで16ms
◎ 8ms +115°Cから+125°C
• 自動 更新 温度 (SRT)
• 自動 更新 (ASR)
• 書き直し
• 多目的登録
詳細についてMT41K128M16JT-125 AAT:K
1.35V DDR3L SDRAMデバイスは,1.5V DDR3 SDRAMデバイスの低電圧バージョンである.1.5V互換モードで動作する場合,DDR3 (1.5V) SDRAMデータシートの仕様を参照してください.
環境と輸出分類MT41K128M16JT-125 AAT:K
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
