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詳細情報 |
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| パッケージ: | トレー | メモリタイプ: | 揮発性 |
|---|---|---|---|
| メモリ形式: | DRAM | メモリサイズ: | 128Mbit |
| 記憶 の 組織: | 8M×16 | メモリインターフェース: | パラレル |
| 時計の周波数: | 166 MHz | ||
製品の説明
IS42S16800F-6TL SDRAMメモリIC 128Mbit パラレル 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
仕様 IS42S16800F-6TL
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | ISSI 統合シリコンソリューション株式会社 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| メモリタイプ | 揮発性 |
| メモリ形式 | DRAM |
| テクノロジー | SDRAM |
| メモリサイズ | 128Mbit |
| 記憶 の 組織 | 8M × 16 |
| メモリインターフェース | パラレル |
| 時計の周波数 | 166 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | - |
| アクセス時間 | 5.4 ns |
| 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 54-TSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 54-TSOPII |
| 基本製品番号 | IS42S16800 |
IS42S16800F-6TLの特徴
• 時計 の 周波数: 200, 166, 143 MHz
• 完全同期;すべての信号は正の時計のエッジに参照される
• 隠し列へのアクセス/前充電のための内部バンク
電力供給 Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3.3V 3.3V
-IS42/45S16800F 3.3V 3.3V
• LVTTLインターフェース
• プログラム可能な爆発長
│ │ │ │ │
• プログラム可能な爆発配列: 配列/インターリーブ
• 自動 更新 (CBR)
• 自分 を 爽やか する
• 4096 リフレッシュ サイクル 16 ms (A2 グレード) または 64 ms (商業用,工業用,A1 グレード)
• 時計サイクルごとにランダムな列アドレス
• プログラム可能なCAS レイテンシー (2,3 時間)
• 読み込み/書き込み,読み込み/書き込み操作の能力
• 爆発停止と前充電コマンドによる爆発停止
● 温度帯:
商業用 (0°Cから+70°C)
工業用 (-40°Cから+85°C)
-自動車,A1 (-40°Cから+85°C)
-自動車,A2 (-40°Cから+105°C)
詳細についてIS42S16800F-6TL
128MbのSDRAMは,高速CMOSで,3.3VVddと3.3VVddqのメモリシステムで動作するように設計された,217728ビット
環境と輸出分類IS42S16800F-6TL
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
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