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詳細情報 |
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| パッケージ: | トレー | メモリタイプ: | 不揮発性 |
|---|---|---|---|
| メモリ形式: | フラッシュ | テクノロジー: | FLASH - NAND |
| メモリサイズ: | 64Gbit | 記憶 の 組織: | 8G X 8 |
| メモリインターフェース: | UFS | 電圧 - 供給: | 2.7V~3.6V |
製品の説明
THGAF8G9T43BAIR FLASH - NANDメモリIC 64Gbit UFS 153-VFBGA (11.5x13)
仕様 THGAF8G9T43BAIR
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| 記憶力 | |
| Mfr | キオキシア・アメリカ・インク |
| シリーズ | 消費者のUFS |
| パッケージ | トレー |
| メモリタイプ | 不揮発性 |
| メモリ形式 | フラッシュ |
| テクノロジー | FLASH - NAND |
| メモリサイズ | 64Gbit |
| 記憶 の 組織 | 8G × 8 |
| メモリインターフェース | UFS |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | - |
| 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 153-VFBGA |
環境と輸出分類THGAF8G9T43BAIR
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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