|
詳細情報 |
|||
| FDN335NのトランジスターIC破片のP-Channel 20 V 1.7A 1Wの表面の台紙SOT-23: | 20ボルト | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 1.7A （Ta） |
|---|---|---|---|
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 2.5V、4.5V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 1.5V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 3.5 NC @ 4.5ボルト | Vgs （最高）: | ±8V |
| ハイライト: | FDN335NのトランジスターIC破片,1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC,20V 1.7AのトランジスターIC破片 |
||
製品の説明
FDN335NのトランジスターIC破片のP-Channel 20 V 1.7A 1Wの表面の台紙SOT-23
FDN335Nの特徴
●TrenchFET力MOSFET
●夕食の高密度細胞の設計
FDN335Nの製品特質
|
プロダクト
|
FDN335N
|
|
FETのタイプ
|
P-Channel
|
|
技術
|
MOSFET （金属酸化物）
|
|
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
|
20ボルト
|
|
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
|
1.7A （Ta）
|
|
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
|
2.5V、4.5V
|
|
（最高） @ ID、VgsのRds
|
70mOhm @ 1.7A、4.5V
|
|
Vgs （（最高） Th） @ ID
|
1.5V @ 250µA
|
|
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
|
3.5 NC @ 4.5ボルト
|
|
Vgs （最高）
|
±8V
|
|
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
|
310 pF @ 10ボルト
|
|
FETの特徴
|
-
|
|
電力損失（最高）
|
1W （Ta）
|
|
実用温度
|
150°C （TJ）
|
|
タイプの取付け
|
表面の台紙
|
|
製造者装置パッケージ
|
SOT-23
|
|
パッケージ/場合
|
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
|
FDN335Nの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
FDN335Nの適用
※電池の保護
※はスイッチに荷を積む
※電池管理
この製品の詳細を知りたい