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詳細情報 |
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| FDN335NのトランジスターIC破片のP-Channel 20 V 1.7A 1Wの表面の台紙SOT-23: | 30ボルト | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 1.5A （Ta） |
|---|---|---|---|
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 125mOhm @ 1.5A、10V |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 5.6 NC @ 10ボルト | Vgs （最高）: | ±20V |
| ハイライト: | PチャネルFDN358P,FDN358P 30V 1.5A,Sot23 3パッケージのトランジスター集積回路 |
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製品の説明
FDN358PのトランジスターIC破片のP-Channel 20 V 1.7A 1Wの表面の台紙SOT-23
FDN358PのP-Channel 30 V 1.5A （Ta）の500mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
FDN358Pの特徴
– 1.5 A、– 30 V. RDSの（） = 125 mΩ @ VGS = – 10 V RDSの（） = 200 mΩ @ VGS = – 4.5ボルト
•低いゲート充満（典型的な4 NC）
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）。
•業界標準SOT-23パッケージの高い発電版。機能を扱う30%の高い発電のSOT-23への同一のピン。
FDN358Pの製品特質
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プロダクト
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FDN358P
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FETのタイプ
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P-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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30ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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1.5A （Ta）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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125mOhm @ 1.5A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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5.6 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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182 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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電力損失（最高）
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500mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3
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パッケージ/場合
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TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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基礎プロダクト数
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FDN358
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FDN358Pの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
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| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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