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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | P-Channel | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 30ボルト |
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| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 3A （Ta） | （最高） @ ID、VgsのRds: | 98mOhm @ 3A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 2.5V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 14 NC @ 10ボルト |
| ハイライト: | IRLML5203TRPBF ICの破片,PチャネルIRLML5203TRPBF,3A 1.25Wの表面の台紙の回路チップ |
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製品の説明
IRLML5203TRPBF ICの破片のP-Channel 30 V 3A 1.25Wの表面の台紙Micro3™/SOT-23
IRLML5203TRPBFの特徴
超低いオン抵抗
P-Channel MOSFET
表面の台紙
テープ及び巻き枠で利用できる
低いゲート充満
無鉛
迎合的なRoHSハロゲンなし
IRLML5203TRPBFの製品特質
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プロダクト
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IRLML5203TRPBF
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FETのタイプ
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P-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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30ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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3A （Ta）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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98mOhm @ 3A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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14 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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510 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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1.25W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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Micro3™/SOT-23
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パッケージ/場合
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TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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基礎プロダクト数
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IRLML5203
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IRLML5203TRPBFの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
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| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
IRLML5203TRPBFの記述
国際的な整流器からのこれらのP-channelのMOSFETsは利用する
極端に低いの達成する高度の加工の技巧
ケイ素区域ごとのオン抵抗。この利点は提供する
電池の使用のための非常に有効な装置を持つデザイナー
そして負荷管理塗布。
熱的に高められた大きいパッドのleadframeはあった
aを作り出すために標準的なSOT-23パッケージに組み込まれる
企業で最も小さい足跡のHEXFET力MOSFET。
Micro3TMダビングされるこのパッケージは適用にとって理想的である
プリント基板 スペースが報酬にあるところ。低速
プロフィール（<1>
ポータブルのような非常に薄いアプリケーション環境
電子工学およびPCMCIAカード。熱抵抗
電力損失は最もよい利用できる。
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