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詳細情報 |
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| パッケージ: | テープ及び巻き枠（TR） | プロダクト状態: | 時代遅れ |
|---|---|---|---|
| 記憶タイプ: | 揮発 | 記憶フォーマット: | ドラム |
| 技術: | SDRAM - DDR2 | 記憶容量: | 256Mビット |
| 記憶構成: | 16M x 16 | 記憶インターフェイス: | 平行 |
製品の説明
MT47H16M16BG-3IT:BのトランジスターIC破片ICのドラム256mbit平行84fbga
SDRAM - DDR2記憶IC 256Mbitは450 ps 84-FBGA （8x14）平行にする333のMHzを
MT47H16M16BG-3ITの指定:B
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 記憶 | |
| 記憶 | |
| Mfr | マイクロン・テクノロジ株式会社。 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| プロダクト状態 | 時代遅れ |
| 記憶タイプ | 揮発 |
| 記憶フォーマット | ドラム |
| 技術 | SDRAM - DDR2 |
| 記憶容量 | 256Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 16 |
| 記憶インターフェイス | 平行 |
| クロック周波数 | 333のMHz |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 450 ps |
| 電圧-供給 | 1.7V | 1.9V |
| 実用温度 | -40°C | 95°C （TC） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 84-FBGA |
| 製造者装置パッケージ | 84-FBGA （8x14） |
| 基礎プロダクト数 | MT47H16M16 |
MT47H16M16BG-3ITの特徴:B
•Vdd = +1.8V ±0.1V、VddQ = +1.8V ±0.1V
•JEDEC標準的な1.8V入力/出力（SSTL_18-compatible）
•差動データ ストロボ（DQS、DQS #）の選択
•4nビット先取りの建築
•x8のための重複した出力ストロボ（RDQS）の選択
•CKとDQおよびDQSの転移を一直線に並べるDLL
•並行操作のための4つの内部銀行
•プログラム可能なCASの潜伏（CL）
•掲示されたCASの付加的な潜伏（AL）
•潜伏を=読まれた潜伏- 1つのtCK書きなさい
•選択可能な破烈させた長さ（BL）:4か8
•調節可能なデータ出力ドライブ強さ
•64msの8,192周期は新たになる
•オン ダイスの終了（ODT）
•産業温度（IT）の選択
•自動車温度の（で）選択
•迎合的なRoHS
•サポートJEDEC時計のジッターの指定
MT47H16M16BG-3ITの自動車温度:B
提供される、2つの同時条件を持っていれば、自動車温度の（で）選択:装置を囲む周囲温度はTCが+85°Cを超過するとき+105°C. JEDECの指定が倍増するためにリフレッシュ レートを要求するより大きい– +105°Cより大きい40°Cか、および場合温度より少なくよりあることができない– 40°Cよりより少なくまたはあることができない;これはまた高温自己の使用が選択を新たになるように要求する。さらにTCが+85°C.時、ODTの抵抗および入出力インピーダンスは軽減されなければ < 0=""> ならない。
MT47H16M16BG-3ITの環境及び輸出分類:B
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0024 |
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