• F450R07W1H3B11ABOMA1 650V 集積回路 IC チップ Igbt モジュール
F450R07W1H3B11ABOMA1 650V 集積回路 IC チップ Igbt モジュール

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V 集積回路 IC チップ Igbt モジュール

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モデル番号: F450R07W1H3B11ABOMA1

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詳細情報

Mfr: インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ: EasyPACK™
パッケージ: プロダクト状態: 活動的
IGBTタイプ: トレンチフィールドストップ 構成: 完全な橋インバーター
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): 650V 現在-コレクター((最高) IC): 55 A
ハイライト:

F450R07W1H3B11ABOMA1、IC チップ IGBT モジュール、650V 集積回路 IC チップ

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IC Chip Igbt Modules

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650V Integrated Circuit IC Chip

製品の説明

F450R07W1H3B11ABOMA1 集積回路 IC チップ Igbt モジュール

 

IGBT モジュール トレンチ フィールドストップ フルブリッジ インバータ 650 V 55 A 200 W シャーシマウントモジュール

 

仕様 F450R07W1H3B11アボマ1

 

タイプ 説明
カテゴリー ディスクリート半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBTモジュール
製造元 インフィニオン テクノロジーズ
シリーズ イージーパック™
パッケージ トレイ
製品の状態 アクティブ
IGBTの種類 トレンチフィールドストップ
構成 フルブリッジインバータ
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 650V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 55A
パワー - 最大 200W
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 1.85V @ 15V、25A
電流 - コレクタカットオフ (最大) 50μA
入力容量 (Cies) @ Vce 3.25 nF @ 25 V
入力 標準
NTCサーミスタ はい
動作温度 -40℃~150℃(TJ)
取付タイプ シャーシマウント
パッケージ・ケース モジュール
サプライヤーデバイスパッケージ モジュール
基本製品番号 F450R07

 

の特徴F450R07W1H3B11アボマ1

 
• 阻止電圧能力を 650V に増加
• 高速 IGBT H3
• 低誘導設計
• 低いスイッチング損失
• 低い VCEsat
・AC2.5kV 1min絶縁
• 高い沿面距離と空間距離
• PressFIT コンタクトテクノロジー
• RoHS対応
• 一体型取り付けによる堅牢な取り付け
クランプ

 

の応用F450R07W1H3B11アボマ1

 
• 自動車用途
• 高周波スイッチングアプリケーション
・DC/DCコンバータ
• 補助インバータ
• ハイブリッド電気自動車 (H)EV
• 誘導加熱と溶接
 

環境および輸出の分類F450R07W1H3B11アボマ1

 
属性 説明
RoHS ステータス ROHS3準拠
感湿性レベル (MSL) 1 (無制限)
リーチステータス REACHは影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V 集積回路 IC チップ Igbt モジュール 0



 

 

 

 

 

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