• MMBT3904トランジスターIC破片200MAのケイ素NPNのエピタキシアル計画
MMBT3904トランジスターIC破片200MAのケイ素NPNのエピタキシアル計画

MMBT3904トランジスターIC破片200MAのケイ素NPNのエピタキシアル計画

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モデル番号: MMBT3904

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詳細情報

現在-コレクター((最高) IC): 200 mA 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): 40ボルト
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC: 300mV @ 5mA、50mA 現在-コレクターの締切り(最高): 50nA
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce: 100 @ 10mA、1V パワー最高: 300mW
頻度-転移: 250MHz 実用温度: -55°C | 150°C (TJ)

製品の説明

MMBT3904トランジスターIC破片200MAのケイ素NPNのエピタキシアル計画
 
両極(BJT)トランジスターNPN 40 V 200 mA 250MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23
MMBT3904指定
 

タイプ 記述
部門 分離した半導体製品
トランジスター
両極(BJT)
単一の両極トランジスター
Mfr 限られるANBONの半導体(インターナショナル)
シリーズ -
パッケージ テープ及び巻き枠(TR)
切りなさいテープ(CT)を
プロダクト状態 活動的
トランジスター タイプ NPN
現在-コレクター((最高) IC) 200 mA
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 40ボルト
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC 300mV @ 5mA、50mA
現在-コレクターの締切り(最高) 50nA
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce 100 @ 10mA、1V
パワー最高 300 MW
頻度-転移 250MHz
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
製造者装置パッケージ SOT-23
基礎プロダクト数 MMBT390

 
MMBT3904特徴

 
•高いコレクターemitterbreakdienの電圧。(BVCEO 40V Min.@Ic =1mA)
•高利得および低い飽和を用いる小さい負荷スイッチ トランジスターはコレクター流れの一般目的のアンプそして転換の適用のために、設計されている。
•225mW電力損失が可能。
•緑パートナーのための無鉛部品は、MIL-STD-19500/228の環境基準を超過する
•接尾辞「- H」は前ハロゲンなしの部分を示す。MMBT3904-H.

MMBT3904環境及び輸出分類
 

属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 1 (無制限)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
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