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詳細情報 |
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| 要素の数: | 1 | 要素ごとのビットの数: | 8 |
|---|---|---|---|
| 最大伝搬遅延 @ V、最大 CL: | 11ns @ 5V、50pF | 現在-高い出力低い: | 15mA、48mA |
| 電圧-供給: | 4.5V | 5.5V | 現在-静止（I.Q.）: | 1 mA |
| 入れられたキャパシタンス: | 10 pF | 実用温度: | -55℃～125℃(TA) |
| ハイライト: | 20CDIPプログラム可能な論理チップ,54FCT574TDB,8つのビット プログラム可能な論理チップ |
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製品の説明
54FCT574TDB ICの論理チップ1の要素Dタイプの8は肯定的な端20-CDIPをかんだ
要素の3州の出力20-CDIPごとの1つの要素8ビットを非逆にするトランシーバー
54FCT574TDBの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 論理 | |
| 双安定回路 | |
| Mfr | Renesasの電子工学アメリカ株式会社 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | 管 |
| プロダクト状態 | 最後の買物 |
| 機能 | 標準 |
| タイプ | Dタイプ |
| 出力タイプ | 三国から成った |
| 要素の数 | 1 |
| 要素ごとのビットの数 | 8 |
| 最高の伝搬遅延@ Vの最高のCL | 11ns @ 5V、50pF |
| トリガ・タイプ | 肯定的な端 |
| 現在-高い出力低い | 15mA、48mA |
| 電圧-供給 | 4.5V | 5.5V |
| 現在-静止（I.Q.） | 1 mA |
| 入れられたキャパシタンス | 10 pF |
| 実用温度 | -55°C | 125°C （TA） |
| タイプの取付け | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | 20-CDIP |
| パッケージ/場合 | 20-CDIP （0.300"、7.62mm） |
| 基礎プロダクト数 | 54FCT574 |
54FCT574TDBの特徴
•Std.、AおよびCの等級
•低い入出力漏出≤1µA （最高。）
•CMOSのパワー レベル
•本当TTLの入出力両立性:
– VOH = 3.3V （タイプ。）
– VOL. = 0.3V （タイプ。）
•高いドライブ出力（- 15mA IOH、48mA IOL）
•JEDECの標準18の指定に合うか、または超過する
•MIL-STD-883、クラスBおよびDESCに迎合的な軍プロダクト
リストされていて（印が付いている二重）
•電源遮断にディスエイブルの出力は可能にする「生きている挿入」を
•次のパッケージで利用できる:
–産業:SOIC、QSOP
–軍:CERDIP、LCC
54FCT574TDBの記述
FCT574Tは高度の二重金属CMOSの技術を使用して造られる8ビット記録である。これらの記録はaの8つのDタイプのフリップフロップから成っている
緩衝された共通の時計および緩衝された3州の出力制御。出力が（OE）入力を可能にするために低いとき、8出力は可能になる。OEの入力が高いとき、出力はhigh-impedance州にある。
組み立てに会う入力データはクロックの入力の低にの高さの転移のQの出力にDの入力の一時待機時間の条件を移り。
54FCT574TDBの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 不適合なRoHS |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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