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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | FETのタイプ: | N-Channel |
|---|---|---|---|
| 技術: | MOSFET （金属酸化物） | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 30ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 8.2A （Ta）、44A （Tc） | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 7.4mOhm @ 30A、10V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 2.2V @ 250µA |
製品の説明
NTTFS4C10NTWG タンタル チップ コンデンサ Mosfet N-Ch 30v 8.2a/44a 8wdfn
Nチャンネル 30 V 8.2A (Ta)、44A (Tc) 790mW (Ta)、23.6W (Tc) 面実装 8-WDFN (3.3x3.3)
仕様NTTFS4C10NTWG
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET、MOSFET | |
| シングルFET、MOSFET | |
| 製造元 | オンセミ |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| カットテープ(CT) | |
| デジリール® | |
| 製品の状態 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8.2A(Ta)、44A(Tc) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 7.4ミリオーム @ 30A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250μA |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18.6nC@10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 993 pF @ 15 V |
| FETの特徴 | - |
| 消費電力(最大) | 790mW(Ta)、23.6W(Tc) |
| 動作温度 | -55℃～150℃(TJ) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| パッケージ・ケース | 8-PowerWDFN |
| 基本製品番号 | NTTFS4 |
の特徴NTTFS4C10NTWG
• 低いRDS(on)で伝導損失を最小限に抑える
• ドライバ損失を最小限に抑える低静電容量
• スイッチング損失を最小限に抑えるための最適化されたゲート電荷
• これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFR フリーで、RoHS に準拠しています。
アプリケーション のNTTFS4C10NTWG
・DC-DCコンバータ
• パワーロードスイッチ
• ノートブックのバッテリー管理
環境および輸出の分類NTTFS4C10NTWG
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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