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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | FETのタイプ: | N-Channel |
|---|---|---|---|
| 技術: | MOSFET （金属酸化物） | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 40ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 35A （Ta）、185A （Tc） | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 1.7mOhm @ 50A、10V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 3.5V @ 250µA |
製品の説明
NVMFS5C430NWFAFT1Gのタンタルのチップ・コンデンサMosfet N CH 40v 35a/185a 5dfn
N-Channel 40 V 35A （Ta）、185A （Tc） 3.8W （Ta）、106W （Tc）表面の台紙5-DFN （5x6） （8-SOFL）
NVMFS5C430NWFAFT1Gの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター | |
| FETs、MOSFETs | |
| 単一のFETs、MOSFETs | |
| Mfr | onsemi |
| シリーズ | 、AEC-Q101自動車 |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 40ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 35A （Ta）、185A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 1.7mOhm @ 50A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.5V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 47 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 3300 pF @ 25ボルト |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 3.8W （Ta）、106W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | 5-DFN （5x6） （8-SOFL） |
| パッケージ/場合 | 8-PowerTDFNの5つの鉛 |
| 基礎プロダクト数 | NVMFS5 |
NVMFS5C430NWFAFT1Gの特徴
•コンパクト デザインのための小さい足跡（5x6 mm）
•伝導の損失を最小にする低いRDS （）
•運転者の損失を最小にする低いQGおよびキャパシタンス
•NVMFS5C430NWFの−の高められた光学点検のための水和性のフランクの選択
•AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、
•これらの装置はPb−Free、迎合的なRoHSである
NVMFS5C430NWFAFT1Gの適用
1. 全体のアプリケーション環境は示されている熱抵抗の価値に影響を与える定数でし、注意される特定の条件のためだけに有効である。
2. 650 mm2を使用してFR4板のSurface−mounted、2つのoz。CUのパッド。
3. 1秒がより高いが、限り脈拍のための最高の流れは脈拍の持続期間および使用率に依存している。
NVMFS5C430NWFAFT1Gの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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