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詳細情報 |
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| LAB/CLBの数: | 3491 | 論理要素/セルの数: | 55856 |
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| RAM ビットの総数: | 2396160 | I/O の数: | 327 |
| 電圧 - 供給: | 1.15V | 1.25V | 動作温度: | 0°C ~ 85°C (TJ) |
製品の説明
EP3C55F484C7N サイクロン® III フィールドプログラム可能なゲート配列 (FPGA) IC 327 2396160
仕様 EP3C55F484C7N
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 埋め込み | |
| FPGA (フィールドプログラム可能なゲートアレイ) | |
| Mfr | インテル |
| シリーズ | サイクロン®III |
| パッケージ | トレー |
| LAB/CLBの数 | 3491 |
| 論理要素/セルの数 | 55856 |
| RAM ビットの総数 | 2396160 |
| I/O の数 | 327 |
| 電圧 - 供給 | 1.15V ~ 1.25V |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 動作温度 | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 484-BGA |
| 供給者のデバイスパッケージ | 484-FBGA (23x23) |
| 基本製品番号 | EP3C55 |
特徴 EP3C55F484C7N
■ 256 ビット 揮発性 キー を 備えた 高度 暗号 標準 (AES) を 用いる 設定 セキュリティ
■ 設計分離流に最適化されたルーティングアーキテクチャ
■ 設計区画間の物理的および機能的隔離の両方を達成する設計隔離流
■ 外部JTAGポートを無効にする
■エラー検出 (ED) サイクル表示
■ 各EDサイクルで合格または不合格を示す
■ ランダムアクセスメモリ (CRAM) ビットの設定の意図的または意図的でない変更を可視化します
■ FPGA 論理,CRAM,埋め込みメモリ,AES キーからコンテンツをクリアする能力
■ 内部オシレーターにより,システムモニターと状態チェック機能が可能になります.
詳細について EP3C55F484C7N
Cyclone® III デバイスファミリーは,高機能,低電力,低コストのユニークな組み合わせを提供しています. 台湾半導体製造会社 (TSMC) の低電力 (LP) プロセス技術に基づいて,電力消費を最小限に抑えるためのシリコン最適化とソフトウェア機能サイクロンIIIデバイスファミリーは,高容量,低電力,コスト敏感なアプリケーションのための理想的なソリューションを提供します.
環境と輸出分類EP3C55F484C7N
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | RoHS に準拠する |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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