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詳細情報 |
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| 部品番号: | TPH2R306NH1、LQ | FETのタイプ: | N-Channel |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 60ボルト | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 6.5V、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 4V @ 1mA | Vgs （最高）: | ±20V |
製品の説明
TPH2R306NH1のLQのN-Channel 60 V 136A 800mW 170W 8-SOPの前進表面の台紙
N-Channel 60 V 136A （Tc） 800mW （Ta）、170W （Tc）表面の台紙の8-SOP前進（5x5.75）
TPH2R306NH1、LQの特徴
FETのタイプN-Channel
技術MOSFET （金属酸化物）
源の電圧（Vdss）に60ボルトを流出させなさい
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 136A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） 6.5V、10V
（最高） @ ID、Vgs 2.3mOhm @ 50A、10VのRds
Vgs （（最高） Th） @ ID 4V @ 1mA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs 72 NC @ 10ボルト
Vgs （最高の） ±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds 6100 pF @ 30ボルト
電力損失（最高の） 800mW （Ta）、170W （Tc）
TPH2R306NH1、LQの指定
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Mfr
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東芝の半導体および貯蔵
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シリーズ
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U-MOSVIII-H
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プロダクト
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TPH2R306NH1、LQ
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FETのタイプ
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N-Channel
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| パッケージ | テープ及び巻き枠 |
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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60ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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136A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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2.3mOhm @ 50A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 1mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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72 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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6100 pF @ 30ボルト
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FETの特徴
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電力損失（最高）
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800mW （Ta）、170W （Tc）
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実用温度
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150°C
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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8-SOP前進（5x5.75）
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パッケージ/場合
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8-PowerTDFN
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環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
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| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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