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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | FETのタイプ: | N-Channelxer |
|---|---|---|---|
| 技術: | MOSFET （金属酸化物） | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 200ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 15.2A （Tc） | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 90mOhm @ 7.6A、10V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 4V @ 30µA |
製品の説明
BSC900N20NS3GATMA1 ワイヤレス Rf モジュール Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
Nチャンネル 200 V 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） 面実装 PG-TDSON-8-5
仕様BSC900N20NS3GATMA1
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET、MOSFET | |
| シングルFET、MOSFET | |
| 製造元 | インフィニオン テクノロジーズ |
| シリーズ | オプティモス™ |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| カットテープ(CT) | |
| デジリール® | |
| 製品の状態 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 15.2A(Tc) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 90ミリオーム @ 7.6A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 30μA |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| FETの特徴 | - |
| 消費電力(最大) | 62.5W(Tc) |
| 動作温度 | -55℃～150℃(TJ) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | BSC900 |
の特徴BSC900N20NS3GATMA1
• DC-DC変換用に最適化
• Nチャンネル、通常レベル
• 優れたゲートチャージ x R DS(on) 積 (FOM)
・低いオン抵抗 R DS(on)
• 動作温度 150 °C
• 鉛フリーの鉛めっき。RoHS対応
• 対象アプリケーションに関して JEDEC1) に従って認定済み
• IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー
の情報BSC900N20NS3GATMA1
テクノロジー、納入条件、および価格の詳細については、最寄りのインフィニオン テクノロジーズ オフィス (www.infineon.com) にお問い合わせください。
環境および輸出の分類BSC900N20NS3GATMA1
| 属性 | 説明 |
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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