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詳細情報 |
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| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 350 pF @ 500ボルト | FETの特徴: | - |
|---|---|---|---|
| 電力損失（最高）: | 45W （Tc） | 実用温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け: | 表面の台紙 | 製造者装置パッケージ: | PG-TO252-3 |
| パッケージ/場合: | TO-252-3、DPak （2つの鉛+タブ）、SC-63 | 基礎プロダクト数: | IPD80R900 |
| ハイライト: | IPD80R900P7ATMA1,MOSFET IC N CH 800V 6A,MOSFET IC 800V 6A TO252-3 |
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製品の説明
IPD60N10S4L-12無線RFモジュールMOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Ipd80r900p7atma1無線RfモジュールMosfet N CH 800v 6a To252-3
N-Channel 800 V 6A （Tc）の45W （Tc）表面の台紙PG-TO252-3
IPD80R900P7ATMA1の指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター | |
| FETs、MOSFETs | |
| 単一のFETs、MOSFETs | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| Digi-Reel® | |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 800ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 6A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 900mOhm @ 2.2A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.5V @ 110µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 15 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 350 pF @ 500ボルト |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 45W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/場合 | TO-252-3、DPak （2つの鉛+タブ）、SC-63 |
| 基礎プロダクト数 | IPD80R900 |
IPD80R900P7ATMA1の特徴
•（） *Eoss最高にclassFOMRDS;reducedQg、CissのandCoss
•最高にclassDPAKRDS （）
•（GS） thof3VandsmallestV （GS）最高にclassV thvariationof±0.5V
•IntegratedZenerDiodeESDprotection
•Fullyoptimizedportfolio
IPD80R900P7ATMA1の適用
•最高にclassperformance
•EnablinghigherpowerdensitydesignsのBOMsavingsandlowerのassemblycosts
•Easytodriveandtoparallel
•BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures
•Lessproductionissuesandreducedfieldreturns
•Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns
IPD80R900P7ATMA1の環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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