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詳細情報 |
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| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 36nC @ 10V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 740pF @ 25V |
|---|---|---|---|
| パワー最高: | 2W | 実用温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け: | 表面の台紙 | パッケージ/場合: | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 製造者装置パッケージ: | 8-SO | 基礎プロダクト数: | IRF734 |
製品の説明
Irf7341trpbf無線RfモジュールMosfet 2n CH 55v 4.7a 8-Soic
Mosfetの配列55V 4.7A 2Wの表面の台紙8-SO
IRF7341TRPBFの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター | |
| FETs、MOSFETs | |
| FET、MOSFETは配列する | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| Digi-Reel® | |
| プロダクト状態 | 時代遅れ |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 構成 | 2 N-Channel （二重） |
| FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 55V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 4.7A |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 50mOhm @ 4.7A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 1V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 36nC @ 10V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 740pF @ 25V |
| パワー最高 | 2W |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 製造者装置パッケージ | 8-SO |
| 基礎プロダクト数 | IRF734 |
IRF7341TRPBFの特徴
か。世代別V技術
か。超低いオン抵抗
か。二重N-Channel Mosfet
か。表面の台紙
か。テープ及び巻き枠で利用できる
か。動的dv/dtの評価
か。速い切換え
か。無鉛
IRF7341TRPBFの適用
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。速い転換のspeedandと結合されたこの利点はいろいろ適用の非常に有効な、信頼できるdeviceforの使用をHEXFET力のMOSFETsが有名のためにであること装置設計を、与えるデザイナーに高耐久化した。
IRF7341TRPBFの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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