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詳細情報 |
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| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 10ns | アクセス時間: | 10 ns |
|---|---|---|---|
| 電圧-供給: | 2.4V | 3.6V | 実用温度: | -40°C | 85°C （TA） |
| タイプの取付け: | 表面の台紙 | パッケージ/場合: | 36-TFBGA |
| 製造者装置パッケージ: | 36-TFBGA （6x8） | 基礎プロダクト数: | IS61WV5128 |
| ハイライト: | IS61WV5128EDBLL-10BLI,IC Sram 4MBITの平行36TFBGA,IS61WV5128EDBLL-10BLI IC Sram |
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製品の説明
IS61WV5128EDBLL-10BLI無線RfのモジュールIC Sram 4mbit平行36tfbga
IS61WV5128EDBLL-10BLI無線RfのモジュールIC Sram 4mbit平行36tfbga
SRAM -非同期記憶IC 4Mbit平行10 ns 36-TFBGA （6x8）
IS61WV5128EDBLL-10BLIの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 記憶 | |
| 記憶 | |
| Mfr | ISSIの統合されたケイ素の解決株式会社 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | 皿 |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| プログラム可能なDigiキー | 確認されない |
| 記憶タイプ | 揮発 |
| 記憶フォーマット | SRAM |
| 技術 | SRAM -非同期 |
| 記憶容量 | 4Mbit |
| 記憶構成 | 512K X 8 |
| 記憶インターフェイス | 平行 |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ns |
| アクセス時間 | 10 ns |
| 電圧-供給 | 2.4V | 3.6V |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 36-TFBGA |
| 製造者装置パッケージ | 36-TFBGA （6x8） |
| 基礎プロダクト数 | IS61WV5128 |
IS61WV5128EDBLL-10BLIの特徴
•高速アクセスの時間:8、10 ns
•低いアクティブな電源:85 MW （典型的な）
•低い予備発電:7 MW （典型的な） CMOSのスタンバイ
•単一の電源
—Vdd 2.4Vへの3.6V （10 ns）
—Vdd 3.3Vの± 10% （8 ns）
•十分に静的な操作:時計はまたは要求されて新たにならない
•3州の出力
•産業および自動車温度サポート
•無鉛利用できる
•エラー検出およびエラー修正
IS61WV5128EDBLL-10BLIの適用
ISSI IS61/64WV5128EDBLLは高速の8ビットにつき524,288ワードとして組織される4,194,304ビット静的なラムである。それはISSIの高performanceCMOS技術を使用して製造される。革新的な回路設計の技術とつながれるこの信頼性が高いプロセスは高性能をもたらす
そして低い電力の消費装置。
セリウムが（選択解除される）高くある時、装置は電力損失のcanbeがCMOSの入力レベルと減った待機モードを仮定する。容易なメモリ拡張はChipEnableの使用によって提供され、出力は入力、セリウムおよびOEを可能にする。活動的な低速は可能になる（私達）制御する記憶の執筆そして読書を両方書く。IS61/64WV5128EDBLLはJEDEC標準的な44-pinTSOP-II、36ピンSOJおよび36ピン小型BGA （6mm x 8mm）で包まれる。
IS61WV5128EDBLL-10BLIの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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