|
詳細情報 |
|||
| パッケージ: | トューブ | 運転された構成: | 半橋 |
|---|---|---|---|
| チャンネルタイプ: | 3-Phase | 運転者の数: | 6 |
| ゲートのタイプ: | IGBT、N-channel MOSFET | 電圧 - 供給: | 10V | 20V |
| 論理の電圧- VIL、VIH: | 0.8V,2.2V | 現在-ピーク出力（源、流し）: | 250mA、500mA |
| ハイライト: | IR2130S,IR2130S 電子ICチップ,半橋ゲートの運転者IC |
||
製品の説明
IR2130S ハーフブリッジゲートドライバー 電子ICチップ 逆転 28-SOIC
仕様 IR2130S
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 電力管理 (PMIC) | |
| ゲートドライバー | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トューブ |
| 駆動式構成 | ハーフブリッジ |
| チャンネルタイプ | 3 段階 |
| 運転手数 | 6 |
| ゲートタイプ | IGBT,NチャンネルMOSFET |
| 電圧 - 供給 | 10V~20V |
| 論理電圧 - VIL,HIV | 0.8V,2.2V |
| 電流 - ピーク出力 (源,シンク) | 250mA,500mA |
| 入力タイプ | 逆転する |
| 高横電圧 - マックス (ブートストラップ) | 600V |
| 昇降時間 (種類) | 80cm,35cm |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 28SOIC (0.295", 7.50mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 28SOIC |
| 基本製品番号 | IR2130 |
特徴IR2130S
・ブートストラップ操作用に設計された浮動チャネル +600Vまで完全に動作する
• ゲート駆動電源範囲は10Vから20V
• すべてのチャネルを低電圧でロックする
• 超電流 停止 は 6 つの ドライバ すべて を 停止 する
• 独立 の 半橋 運転手
• すべてのチャネルで一致する伝播遅延
2.5V ロジック対応
• 输出が入力と相違する
• 交叉伝導防止の論理
• また,リードフリーで利用できます
導入についてIR2130S
IR2130/IR2132 ((J) ((S) は,三つの独立した高低側参照出力チャネルを持つ高電圧,高速電力MOSFETおよびIGBTドライバである.
環境と輸出分類IR2130S
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | RoHS に合致しない |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
この製品の詳細を知りたい