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詳細情報 |
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| トランジスタタイプ: | 2 PNP (ダブル) | 現在-コレクター（（最高） IC）: | 100 mA |
|---|---|---|---|
| DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: | 420 @ 2mA 5V | 現在-コレクターの締切り（最高）: | 15nA （ICBO） |
| 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: | 30V | Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: | 650mV @ 5mA,100mA |
| パワー - マックス: | 500mW | 頻度-転移: | 100MHz |
| ハイライト: | BC858CDXV6T1G,BC858CDXV6T1G BJT双極トランジスタ |
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製品の説明
BC858CDXV6T1G 双極 (BJT) トランジスタ配列 2 PNP (ダブル) 30V 100mA 100MHz 500mW
仕様BC858CDXV6T1G
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| 双極性 (BJT) | |
| 双極トランジスタ配列 | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| トランジスタタイプ | 2 PNP (ダブル) |
| 電流 - コレクター (Ic) (最大) | 100mA |
| 電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) | 30V |
| Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA,100mA |
| 電流 - コレクターの切断値 (最大) | 15nA (ICBO) |
| DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V |
| パワー - マックス | 500mW |
| 頻度 - 移行 | 100MHz |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | SOT-563,SOT-666 |
| 供給者のデバイスパッケージ | SOT-563 |
| 基本製品番号 | BC858 |
特徴 BC858CDXV6T1G
これはPb−フリーデバイスです
環境と輸出分類BC858CDXV6T1G
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
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