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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 20V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 12A （Ta） | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 2.5V、10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 8mOhm @ 12A, 10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 58.3 nC @ 10V | Vgs (最大): | ±12V |
製品の説明
DMN2009LSS-13 Nチャンネル 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) 表面マウント 8-SO
仕様 DMN2009LSS-13
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | ディオード組み込み |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 2.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.2V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 58.3 nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±12V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2555 pF @ 10V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 2W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 基本製品番号 | DMN2009 |
特徴 DMN2009LSS-13
* 抵抗が低い
* 低ゲート 限界電圧
* 低入力容量
* 速やかな切り替え速度
* 低入力/出力漏れ
*完全に鉛無し,完全にRoHS対応 (注1)
*ハロゲンとアンチモンなし. 緑色装置 (注3)
* AEC-Q101 高信頼性基準に準拠している
適用する DMN2009LSS-13
*バックライト
* 電力管理機能
* DC-DCコンバーター
環境と輸出分類DMN2009LSS-13
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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