• DTC124EUAT106 バイアス型バイポラールトランジスタ (BJT) NPN 50 V 30 mA 250 MHz 200 mW
DTC124EUAT106 バイアス型バイポラールトランジスタ (BJT) NPN 50 V 30 mA 250 MHz 200 mW

DTC124EUAT106 バイアス型バイポラールトランジスタ (BJT) NPN 50 V 30 mA 250 MHz 200 mW

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モデル番号: DTC124EUAT106

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詳細情報

トランジスタタイプ: PNP - 偏見がある 現在-コレクター((最高) IC): 30 mA
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): 50V 抵抗器-基盤(R1): 20のkOhms
抵抗器-エミッターの基盤(R2): 20のkOhms DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC: 300mV @ 500µA、10mA 現在-コレクターの締切り(最高): 500nA
頻度-転移: 250 MHz パワー - マックス: 200 MW

製品の説明

DTC124EUAT106 バイアス型バイポラトランジスタ (BJT) NPN 50V 30mA 250MHz 200mW
 

仕様 DTC124EUAT106

 

タイプ 記述
カテゴリー 離散半導体製品
  トランジスタ
  双極性 (BJT)
  単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
Mfr ローム半導体
シリーズ -
パッケージ テープ&ロール (TR)
  切断テープ (CT)
トランジスタタイプ NPN - 偏見がある
電流 - コレクター (Ic) (最大) 30mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) 50V
抵抗 - ベース (R1) 22kOhm
レジスタ - エミッターベース (R2) 22kOhm
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
電流 - コレクターの切断値 (最大) 500nA
頻度 - 移行 250 MHz
パワー - マックス 200mW
マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース SC-70,SOT-323
供給者のデバイスパッケージ UMT3
基本製品番号 DTC124

 
特徴 DTC124EUAT106


1) 内蔵バイアスレジスタ,R1 = R2 = 22kΩ
2) 内蔵バイアスレジスタは,外部入力レジスタを接続することなくインバーター回路の構成を可能にします (内部回路を参照).
3) オン/オフ条件のみを操作のために設定し,回路設計を容易にする.
4) 補完PNPタイプ:DTA124Eシリーズ

 

 

 

 

適用する DTA144EE-TL


インバーター,インターフェイス,ドライバ

 

 


環境と輸出分類DTC124EUAT106

 

ATRIBUTE について 記述
RoHS 状態 ROHS3 に準拠
湿度感度レベル (MSL) 1 (無制限)
REACH ステータス REACH 影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTC124EUAT106 バイアス型バイポラールトランジスタ (BJT) NPN 50 V 30 mA 250 MHz 200 mW 0
 

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