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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 60V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 25A （Tc） | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 30mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.2V @ 8μA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 16.3 nC @ 10V | Vgs (最大): | ±16V |
製品の説明
IPD25N06S4L-30 Nチャンネル 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) 表面マウント PG-TO252-3-11
仕様IPD25N06S4L-30
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | 自動車用 AEC-Q101 OptiMOSTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.2V @ 8μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 16.3 nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±16V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1220 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 29W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63 |
| 基本製品番号 | IPD25N06 |
IPD25N06S4L-30の特徴
• Nチャンネル - 強化モード
• AEC Q101 資格
• MSL1 最大260°Cのリフロー
• 175°C の動作温度
•グリーン製品 (RoHS対応)
• 100% アヴァランシュテスト
環境と輸出分類IPD25N06S4L-30
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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