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詳細情報 |
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| 電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): | 60V | 電流 - 調整された平均 (Io): | 8A |
|---|---|---|---|
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大) @ If): | 800 mV @ 8 A | スピード: | 速復 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 150 μA @ 60 V | マウントタイプ: | 表面マウント |
製品の説明
MBR860MFST1G ダイオード 60 V 8A 表面マウント 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
仕様 MBR860MFST1G
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| ダイオード | |
| 矯正器 | |
| シングルダイオード | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| テクノロジー | ショットキー |
| 電圧 - 直流逆 (Vr) (最大) | 60V |
| 電流 - 調整された平均 (Io) | 8A |
| ストレージ - 前向き (Vf) (最大) | 800 mV @ 8 A |
| スピード | 速復 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 逆流出 @ Vr | 150 μA @ 60 V |
| 容量 @ Vr, F | - |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 8 パワーTDFN 5 リード |
| 供給者のデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 動作温度 - 交差点 | -55°C ~ 175°C |
| 基本製品番号 | MBR860 |
MBR860MFST1Gの特徴
• 低電力損失 / 高効率
• 新しいパッケージは,ボードの設置後に検査と探査の能力を提供します
● ストレス に 抵抗 する 防護 環
• 前向き の 低 電圧 低下
• 175°C 動作点温度
• 濡れ 可能な フラックス オプション
• 自動車および他のアプリケーションのためのNRVBプレフィックス ユニークなサイトおよび制御変更要件を必要とする; AEC−Q101資格とPPAP能力
• これはPb−フリーデバイスです
詳細についてMBR860MFST1G
●ケース:エポキシ,鋳造
• エポキシは,燃焼性 UL 94−0 @ 0.125 インチを満たしています.
● 鉛 仕上げ:100% マット Sn (チン)
• 溶接目的の鉛とマウント表面温度:最大260°C 10秒間
装置はMSL 1の要件を満たしている
環境と輸出分類MBR860MFST1G
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
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